Ätzprodukte

Wir gestalten mit atomarer Präzision

Lam Research plasma etch – conductor etch

Kiyo® PRODUKTFAMILIE

Technologie: Reaktives Ionenätzen, Atomlagenätzung
Lösungen: Transistoren, Leiterbahnen, Strukturierung, hochentwickelte Speicher

Leiterätzung wird für das Ausformen der elektrisch „aktiven“ Materialien in den Teilen eines Halbleiterelements eingesetzt. Selbst kleinste Veränderungen an diesen miniaturisierten Strukturen können zu elektrischen Störungen führen, die sich auf die Leistung des betreffenden Funktionselements auswirken. Diese Strukturen sind inzwischen so klein, dass sich die Ätzverfahren im Grenzbereich der physikalischen und chemischen Grundgesetze bewegen.

Die Lam Kiyo-Produktfamilie verfügt über die notwendigen Kapazitäten, um diese leitenden Strukturen präzise und konsistent sowie mit hoher Produktivität auszubilden

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Lam Research plasma etch – metal etch

Versys® METAL PRODUKTFAMILIE

Technologie: Reaktives Ionenätzen
Lösungen: Leiterbahnen

Metallätzverfahren spielen eine Schlüsselrolle bei der elektrischen Verbindung der einzelnen Komponenten, die einen integrierten Schaltkreis (IC) bilden, zum Beispiel beim Ausformen von Leiterbahnen. Diese Verfahren werden außerdem eingesetzt, um Bohrungen in die Metall-Hartmasken (MHM) einzubringen, die für das Patterning von Struktureinheiten eingesetzt werden, die für herkömmliche Masken zu klein sind, und die damit die fortgesetzte Verkleinerung der Abmessungen von Struktureinheiten ermöglichen.

Für die Umsetzung dieser kritischen Ätzschritte ist die Lam Versys Metal-Produktfamilie eine hochproduktive und flexible Plattform.

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Lam Research plasma etch – dielectric etch

Flex™ PRODUKTFAMILIE

Technologie: Reaktives Ionenätzen
Lösungen: Transistoren, Leiterbahnen, Strukturierung, hochentwickelte Speicher

Beim Ätzen von dielektrischen Materialien werden Strukturen in isolierenden Materialien ausgeformt, um Sperrschichten zwischen den elektrisch leitfähigen Teilen eines Halbleiter-Funktionselements zu schaffen. Bei hochentwickelten Funktionselementen können diese Strukturen extrem hoch und schmal sein und aus komplexen, heiklen Materialien bestehen. Minimale Abweichungen vom angestrebten Strukturprofil – selbst auf atomarer Ebene – können sich negativ auf die elektrischen Eigenschaften des Funktionselements auswirken.

Für die präzise Ausformung dieser aufwändigen Strukturen unterstützt die Lam Flex-Produktfamilie differenzierte Techniken und anwendungsspezifische Funktionen für kritische Dielektrika-Ätzanwendungen.

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Lam Research plasma etch – through-silicon via (TSV) etch

Syndion® PRODUKTFAMILIE

Technologie: Reaktives Ionenätzen
Lösungen: Packaging

Silizium-Durchkontaktierungen (TSVs) ermöglichen elektrische Verbindungen beim Die-to-Die-Stacking für 3D-integrierte Schaltkreise (3D-ICs), mit denen sich kleinere, schnellere und leistungsstärkere mobile Elektronikkomponenten herstellen lassen. Für das Ausformen dieser hohen „Säulen“ (oder „Vias“) müssen in mehreren sorgfältig gesteuerten Ätzschritten präzise Tunnel durch unterschiedliche Schichten erzeugt werden.

Die Lam Syndion-Ätzgeräte-Produktfamilie bietet die erforderliche Flexibilität und ermöglicht die Steuerung dieses schichtweisen Verfahrens und eignet sich für kosteneffizientes Via-Ätzen bei TSV-Anwendungen.

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