DEPOSITION PRODUCTS

Creating Flawless Thin Films

Lam Research metal films – copper electrochemical deposition (ECD)

SABRE®  製品ファミリ

技術: 電解めっき成膜 (ECD)
ソリューション: 多層配線, 先端メモリ

最新の半導体デバイスの大半において、電気配線に銅めっき成膜が使用されています。これらの銅配線の構造では、たとえ微小であっても欠陥 (顕微鏡レベルのピンホールやダスト粒子など)があれば、配線不良から速度低下に至り、デバイス性能に影響を及ぼします。

ラムリサーチの SABRE ECD 製品ファミリは、多層配線の銅めっき成膜への移行開発をサポートした装置であり、高生産性プラットフォームでの銅ダマシン構造のデバイスの製造に必要なプロセス精度を提供します。 

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Lam Research metal films for packaging – electroplating

SABRE® 3D

技術: 電解めっき成膜 (ECD)
ソリューション: パッケージング

銅及び他の金属での電解めっきの成膜は、高度なウェハー・レベル・パッケージ (WLP)とシリコン貫通ビア (TSV) 構造に使用されます。導電性部分が小さいことからデバイス全体の寸法を縮小することができ、小型で、高速、パワフルなモバイル電子機器の製造が可能です。

SABRE 3D システムはラムリサーチで実績のある SABRE Electrofill® 装置の技術と他の先進的な技術を組み合わせる事で、高い生産性を保ちつつ WLP 及び TSV アプリケーションに必要な高品質な膜を提供します。

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Lam Research metal films – tungsten chemical vapor deposition (CVD)

ALTUS® 製品ファミリ

技術: 化学的気相成長成膜 (CVD)、原子層成膜 (ALD)
ソリューション: トランジスタ, 多層配線, 先端メモリ, パッケージング

タングステン成膜は、チップ上のコンタクト、ビア、プラグなどの導電配線構造を形成するために使用されます。これらは構造的に小さくて狭い事が少なくなく、使用される金属も少量なので抵抗を最小化し、完全な埋め込みを達成することには困難を伴います。これらのナノスケール単位では、わずかな欠陥がデバイス性能に影響を与えたり、あるいはチップ不良の原因となります。

市場をリードするラムリサーチの ALTUS システムは CVD 技術と ALD 技術を組み合わせて、タングステンメタライゼーションアプリケーションに必要である高度なコンフォーマル膜を成膜します。

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Roll-over caption: Lam Research dielectric films – plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD)

VECTOR® 製品ファミリ

技術: プラズマ化学的気相成長成膜 (PECVD)、プラズマ原子層成膜 (ALD)
ソリューション: トランジスタ, 多層配線, 先端メモリ

半導体デバイスにおける絶縁膜成膜プロセスは、最先端のトランジスタや3D構造など、非常に多くのアプリケーションに対して、またデバイス性能に非常にクリティカルな絶縁膜形成などに使用されています。あるアプリケーションでは優れたコンフォーマル性能が必要とされたり、また別のアプリケーションでは、わずかな欠陥であっても積層後の影響は顕著になってしまうため、極端に平坦な膜が要求される場合もあります。

ラムリサーチの VECTOR PECVD 及び ALD 製品は、様々なアプリケーションの要求を満たし、いかなるデバイス構造の実現をも可能にする性能と柔軟性を提供できるように設計されています。

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Lam Research dielectric films for packaging – plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD)

VECTOR® 3D

技術: プラズマ化学的気相成長成膜 (PECVD)、プラズマ原子層成膜 (ALD)
ソリューション: パッケージング

最新のモバイル製品用チップ向けのの微細な外部接続端子を形成には、高度なウェハー・レベル・パッケージング (WLP) プロセスが利用されています。微細であるため、バラツキを許容する余地がほとんどありません。この微細配線を絶縁できる、正確かつクリティカルな構造を実現するために絶縁膜の成膜プロセスにおいて非常に高品質な膜が求められます。

WLP アプリケーションで使用される絶縁膜の厳しい要件を満たすため、既に VECTOR 製品ファミリにおいて実証された性能をラムリサーチの VECTOR 3D システムで利用できるようにしました。

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Lam Research dielectric films – gapfill high-density plasma chemical vapor deposition (HDP-CVD)

SPEED® 製品ファミリ

技術: 高密度プラズマ化学気相成長成膜 (HDP-CVD)
ソリューション: トランジスタ, 多層配線, 先端メモリ

絶縁膜の「段差埋め込み (Gapfill)」プロセスでは配線間及びデバイス間のさまざまなアスペクト比の開口部を埋め込みする事により、配線および/またはアクティブ領域との間の高度な絶縁膜層を成膜します。先進デバイスでは、埋め込みされる構造は非常に細長い形状になります。その結果、クロストーク及びデバイス故障が増大し、高品質な絶縁膜は極めて高い重要性を持ちます。

ラムリサーチの SPEED HDP-CVD 製品は業界トップクラスのスループットと信頼性を備え、高品質な段差埋め込みの為の各種の絶縁膜ソリューションを提供します。

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Lam Research hardmask films – plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD)

VECTOR® 製品ファミリ

技術: プラズマ化学的気相成長成膜 (PECVD)、原子層成膜 (ALD)
ソリューション: トランジスタ, 多層配線, パターニング

ハードマスク膜は、従来のマスクが適応できない時にパターニングに必要な精度を得ることができるようにする犠牲膜層です。デバイスが小型化しパッケージ密度が高まるにつれ、半導体メーカーはリソグラフィの限界を克服するため、ダブルさらにはクアッドのパターニング技術に目を向けています。ハードマスク成膜は、これらのアプローチで重要な役割を果たしています。

ラムリサーチの VECTOR PECVD および ALD 製品は、高度なパターニングアプリケーションに付随するニーズに対応する各種高品質なハードマスク膜を提供します。

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Lam Research thin film treatment – ultraviolet thermal processing (UVTP)

SOLA® 製品ファミリ

技術: 紫外線熱処理 (UVTP)
ソリューション: トランジスタ, 多層配線

最新のチップの絶縁性の要件を満たすように設計された新しい絶縁材料は、取り扱いが難しいのが通常です。膜は損傷しやすく、絶縁性能が劣化しやすいため、デバイス機能の低下につながります。

これらの高度な成膜アプリケーションを可能にするには、 ラムリサーチの SOLA UVTP 製品ファミリが提供する成膜後膜トリートメントにより膜質を安定化させ、あるいはデバイス機能を強化させるという方法があります。

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