ETCH PRODUCTS

Carving Features with Atomic Precision

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Lam Research plasma etch – conductor etch

Kiyo® ファミリ

技術: 反応性イオンエッチング, 原子層エッチング
ソリューション: トランジスタ多層配線, パターニング, 先端メモリ

導電性材料エッチは、半導体デバイスの電気的に「アクティブ」な部分を形成します。これらの微細加工形状にほんのわずかでもバラツキがあると、電気的特性が変化し、デバイス性能が低下します。 これらの微細な構造を加工するための反応性イオンエッチングは、物理化学反応でプロセスが進行します。

ラムリサーチの Kiyo ファミリはこれらの導電性材料を精密にかつ再現性よく、高い生産性で加工するために必要な高性能機能を備えています。

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Lam Research plasma etch – metal etch

Versys® メタルファミリ

技術: 反応性イオンエッチング
ソリューション: 多層配線

メタルエッチング・プロセスは、配線や電気的接続など、集積回路(IC)を形成する個々のコンポーネントを接続する際に重要な役割を果たしています。これらのプロセスは、従来のマスクでは加工が難しい微細なパターンに対して適用されるメタルハードマスク (MHM) のエッチングにも使用され、今後のさらなる寸法の縮小を可能にします。

これらの重要なエッチ・ステップを可能にするため、ラムリサーチのVersysメタルファミリはフレキシブルなプラットフォームで高い生産性を提供します。

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Lam Research plasma etch – dielectric etch

Flex™ ファミリ

技術: 反応性イオンエッチング
ソリューション: トランジスタ, 多層配線, パターニング, 先端メモリ

絶縁材料エッチは、絶縁材料にパターンを刻んで半導体デバイスの導電体間のバリアを形成します。先端デバイスでは、これらの構造体はきわめて細長く、複雑で敏感な材料が含まれます。狙った形状から僅かでも(原子レベルであっても)逸脱するとデバイスの電気特性に影響します。

これらの課題を持った構造を精密に製造するため、 ラムリサーチの Flex ファミリは絶縁材料エッチ・アプリケーション向けの差別化技術とアプリケーションに焦点をあてた機能を提供します。

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Lam Research plasma etch – through-silicon via (TSV) etch

Syndion® ファミリ

技術: 反応性イオンエッチング
ソリューション: パッケージング

シリコン貫通ビア (TSV) は 3D 集積回路 (3D IC) 用にダイ間スタックの相互接続機能を提供し、これにより小型、高速、パワフルなモバイル電子機器が可能になります。これらの細長い「円筒」(ビア)を形成するためには、精密に制御されたマルチステップエッチングで各種の膜を正確に開口する必要があります。

ラムリサーチの Syndion エッチファミリは、層ごとのプロセス柔軟性と制御の機能を備え、TSV アプリケーションのコスト効率が高いビア・エッチを提供します。

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