STRIP & CLEAN PRODUCTS

Leaving Ultra-Pristine Surfaces

Lam Research photoresist strip for logic and memory

GAMMA® 製品ファミリー

技術: ドライ・ストリップ
ソリューション: トランジスタ, 相互接続, パターニング, 先進メモリパッケージング

ストリップ・プロセスではウエハー表面の変化から特定領域を保護した後のフォトレジスト材料を除去します。 仕上げたデバイスが正しくパターニングされているよう、このプロセスでは、表面材料を改変することなく、慎重かつ完全にフォトレジストおよび特徴的形状の範囲内および周囲を除去する必要があります.

ラムリサーチの生産実績のあるおよび GAMMA  装置は重要なフロント・エンド・ウエハー処理アプリケーションですべてのフォトレジストを慎重かつ選択的に除去するために必要なプロセスの柔軟性を提供しますおよび高度なウエハーレベルパッケージング.

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Lam Research EOS

EOS®

技術 : スピンウェットクリーン
ソリューション : トランジスター, インターコネクト, パターニング, アドバンストメモリー

ウェットウェハクリーニングは、チップ処理工程の間に、歩留まりを制限する残渣や欠陥を取り除くために使用されます。デバイスの継続的なスケーリング、ますます複雑になる構造、そして新しい材料の導入によって、さらに欠陥の除去が困難になり、ウェハのクリーニングの生産性向上の必要性がますます高まっています。

Lamの最新のウェットクリーン製品 EOS は、オンウェハ欠陥品率がとりわけ低く、スループットが高いので、最先端の 3D 構造を含む、要求の厳しいウェハクリーニング用途に積極的に対処します。

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Lam Research single-wafer clean – spin wet clean

DV-Prime® および Da Vinci®

技術: スピン・ウェット・クリーン
ソリューション: トランジスタ, インターコネクト, パターニング, 先端メモリ

ウェット・ウエハー・クリーニングは、不良品の原因になりかねない表面物質を除去するため、チップ製造中の多くのステップで実施されます。不要な微小異物(微小なデバイス自体よりさらに小さい)を効果的に洗浄する必要があります。同時に、これらのプロセスではデバイスで使用されいる膜と化学的に類似した残渣を選択的に除去しなければなりません.

ラムリサーチのウェット・クリーン製品は、当社の先駆的なシングル・ウエハー・スピンテクノロジーにより、製造プロセス・フローウェット・クリーン・ステップに対して柔軟性と高い生産性を提供します.

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Lam Research wet clean for packaging

SP シリーズ製品ファミリ

技術: スピン・ウェット・クリーン
ソリューション: パッケージング

先進のウエハー・レベル・パッケージング(WLP) の場合は、パッケージと外部配線を形成する工程の間で使用されるウェット・クリーンの要求事項は極めて複雑になっています。何百という脆い構造体について、特定の材料を完全に除去しながら他はそのまま残しておくという工程にこれらのプロセスが使用されます。

ラムリサーチの SP シリーズ製品は広範なプロセスに対応する能力を備え、困難な WLP アプリケーション向けに、コスト効率が高く、生産で実証されているウェット・クリーン/ウェット・エッチ・ソリューションを提供します。

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Lam Research single-wafer clean – plasma bevel clean

Coronus®

技術: プラズマ・ベベル・クリーン
ソリューション: トランジスタ, 相互接続, パターニング, 先進メモリ

べべル・クリーニングは製造の各ステップの間で、ウエハー・エッジから望ましくないパーティクル、残留物、膜を除去します。クリーニングしないと、事後の工程でこれらが剥落してウエハー表面に再附着することがあります。たった1つのパーティクルであってもデバイスの重要部分に附着すればチップ全体を破損します。重要段階でベベル・クリーンを実施することでこのリスクが防止され、チップ製造が向上します.

ラムリサーチCoronusベベル・クリーン・ファミリはプラズマの精密な制御およびフレキシビリティをアクティブ・ダイ領域保護技術と組み合わせることで、 ウエハー・エッジを洗浄し、ダイ歩留まりを向上させます.

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