DEPOSITION PRODUCTS

Creating Flawless Thin Films

Lam Research metal films – copper electrochemical deposition (ECD)

SABRE®제품군

기술: 전기화학적 증착 (Electrochemical Deposition, ECD)
솔루션: 인터커넥트, 첨단 메모리

구리 증착은 최고급 반도체 소자를 위한 전기 배선을 형성해 줍니다. 이러한 전도성 구조체에서는 현미경으로만 확인할 수 있을 정도로 미소한 구멍이나 먼지 입자와 같은 극히 작은 결함이라 하더라도 소자의 성능에 영향을 미쳐, 속도가 저하되거나 완전히 고장을 일으킬 수 있습니다.

구리 인터커넥트로의 전환에 개척자 역할을 한 램의 SABRE ECD 제품군은 업계의 생산성 주도 플랫폼에서 구리 다마신 제조에 필요한 정확성을 갖추고 있습니다.

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Lam Research metal films for packaging – electroplating

SABRE® 3D

기술: 전기 화학적 증착 (ECD)
솔루션: 패키징

구리 및 기타 금속은 증착 공정을 통해 전기적 연결을 형성하며, 첨단 웨이퍼 레벨 패키징(WLP)이나 실리콘 관통전극(TSV) 구조체에서 사용됩니다. 이처럼 작은 전도성 부품은 소자의 전반적인 규격을 축소하고, 보다 작고 빠르며 강력한 모바일 전자소자를 생산하는 데 도움이 됩니다.

SABRE 3D 시스템은 그 기능이 입증된 램의 SABRE Electrofill® 기술과 추가적인 혁신 기술을 결합하여 높은 생산성으로 WLP 및 TSV에 적용할 수 있는 고품질 박막을 만들어 냅니다.

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Lam Research metal films – tungsten chemical vapor deposition (CVD)

ALTUS® 제품군

기술: 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition, CVD), 원자층증착(Atomic Layer Deposition, ALD)
솔루션: 트랜지스터, 인터커넥트, 첨단 메모리, 패키징

텅스텐 증착 방법은 칩에서 접점이나 전극, 플러그와 같은 전도성 부분을 형성하는 데 사용합니다. 이러한 부분은 크기가 작으며 종종 좁은 형태를 띠고 있을 뿐 아니라 미량의 금속만을 사용합니다. 따라서 저항을 최소화하고 완벽하게 채우는 것이 매우 어렵습니다. 이처럼 크기가 나노 수준으로 매우 작기 때문에, 아주 작은 오류라도 소자의 성능에 영향을 미칠 수 있으며 칩이 고장을 일으킬 수 있습니다.

램의 ALTUS 시스템은 CVD와 ALD 기술을 결합, 첨단 텅스텐 금속 공정에서 고도로 균일한 박막을 증착합니다.

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Roll-over caption: Lam Research dielectric films – plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD)

VECTOR® 제품군

기술: 플라스마 강화 화학기상증착(PECVD), 플라스마 강화 원자층증착(ALD)
솔루션: 트랜지스터, 인터커넥트, 첨단 메모리

유전체막 증착 공정은 최신형 트랜지스터 및 3D 구조체 등 반도체 소자에서 가장 생산하기 어려운 절연 부분을 만들어 내는 데에 사용합니다. 몇몇 경우, 이러한 필름은 복잡한 구조체에 딱 들어맞아야 합니다. 또 몇몇 경우에는 아주 사소한 결함이 이후의 이어지는 적층에서 결함을 더 크게 만들기도 하므로 특히 매끄러운 막질을 사용해야 합니다.

램의 VECTOR PECVD 및 ALD 제품은 이러한 구조를 만들어 내고 까다로운 조건에서의 수요를 충족시킬 수 있는 성능과 유연성을 제공할 수 있도록 설계합니다.

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Lam Research dielectric films for packaging – plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD)

VECTOR® 3D

기술: 플라스마 강화 화학기상증착(PECVD), 플라스마 강화 원자층증착 (ALD)
솔루션: 패키징

최신 모바일 제품용 칩의 작은 외부 연결점은 첨단 웨이퍼 레벨 패키징(WLP) 공정을 거쳐 만듭니다. 이렇게 규격이 작으면 변화에 대해 허용되는 오차가 거의 없습니다. 이처럼 매우 작은 배선을 절연 처리하는 정확하고 중요한 구조체를 만들려면, 유전체 증착 공정에서 매우 높은 품질의 박막을 제공해야 합니다.

구조체를 만들려면, 유전체 증착 공정에서 매우 높은 품질의 박막을 제공해야 합니다. WLP 공정에서 사용되는 유전체막에 대한 까다로운 요건을 충족시키기 위해 VECTOR 제품군의 입증된 능력을 램의 VECTOR 3D 시스템으로 확대하였습니다.

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Lam Research dielectric films – gapfill high-density plasma chemical vapor deposition (HDP-CVD)

SPEED® 제품군

기술: 고밀도 플라스마 화학기상증착(HDP-CVD)
솔루션: 트랜지스터, 인터커넥트, 첨단 메모리

유전체 ‘갭필’ 공정에서는 전도성 배선 사이와 소자 사이에 있는 다양한 종횡비의 개구부를 채우면서 전도성 영역 및/또는 활성 영역 사이에 있는 중요한 절연막을 증착합니다. 첨단 소자를 사용하면 구조물을 매우 높고 좁게 채울 수 있습니다. 이러한 결과, 크로스토크 및 소자의 오동작 가능성이 점점 높아질 수 있기 때문에 고품질 유전체막을 사용하는 것이 특히 중요합니다.

램의 SPEED HDP-CVD 제품은 업계 최고의 스루풋 및 신뢰성으로 고품질 갭필에 사용할 수 있는 복합적인 유전체막 솔루션을 제공합니다.

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Lam Research hardmask films – plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD)

VECTOR®제품군

기술:플라스마 강화 화학기상증착(PECVD), 원자층증착(ALD)
솔루션: 트랜지스터, 인터커넥트, 패터닝

하드마스크는 희생막으로, 전통적인 방식의 마스크로는 불가능한 패터닝 정확성을 가능하게 해줍니다. 소자 구성요소들이 점점 작아지고 더욱 밀접해짐에 따라 반도체 제조업체들은 리소그래피 한계를 극복하기 위해서 더블패터닝 또는 쿼드러플 패터닝 같은 기법을 사용하고 있습니다. 이러한 접근방식에서 하드마스크 증착은 핵심적인 역할을 수행합니다.

램의 VECTOR PECVD 및 ALD 제품은 첨단 패터닝 응용분야의 특별한 요구를 처리할 수 있도록 다양한 고품질 하드마스크 필름을 제공합니다.

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Lam Research thin film treatment – ultraviolet thermal processing (UVTP)

SOLA® 제품군

기술: 자외선 열처리(UVTP)
솔루션: 트랜지스터, 인터커넥트

최신 칩의 절연 요건을 충족하도록 설계한 새로운 유전체 물질은 종종 그 속성상 사용하기가 어려울 수 있습니다. 이러한 필름은 쉽게 손상되며 절연 기능 일부에 손실이 있을 수도 있어, 소자의 성능이 떨어질 수 있습니다. 이러한 첨단 박막 적용 분야를 위해, 램의 SOLA UVTP 제품군에서 제공하는 증착후 박막 처리과정으로 박막을 안정화시키거나 소자 성능 향상을 위한 처리를 할 수 있습니다.

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