ETCH PRODUCTS

Carving Features with Atomic Precision

Lam Research plasma etch – conductor etch

Kiyo®제품군

솔루션: 반응성 이온 식각(Reactive Ion Etch, RIE)
Solutions: 트랜지스터, 인터커넥트, 패터닝, 첨단 메모리

전도체 식각은 전기적으로 ‘활성화된’ 물질을 반도체 소자의 일부로 사용할 수 있게 도와줍니다. 반도체 소자와 같이 미세한 구조에서는 아주 작은 변화만으로도 전기적 결함이 발생하여 기기의 성능에 영향을 미칠 수 있습니다. 실제로 이러한 구조물들은 너무나 작아서, 이를 위한 식각 공정은 물리 법칙과 화학 법칙의 한계에 도전하고 있습니다.

램의 Kiyo 제품군은 높은 생산성으로 이러한 전도성 물질을 정확하고 일관되게 형성하는 데에 필요한 높은 성능의 능력을 제공합니다.

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Lam Research plasma etch – metal etch

Versys® 금속 제품군

기술: 반응성 이온 식각(RIE)
솔루션: 인터커넥트

집적 회로(IC)를 형성하는 개별 구성요소를 연결할 때 핵심적인 역할을 하는 금속 식각 공정은, 배선이나 전기적 연결을 형성합니다. 또한 전통적인 마스크를 사용하기에는 너무 작은 패턴 부분에 사용하는 메탈 하드마스크(MHM)를 식각할 때에도 사용하며, 결과적으로 소자 규격이 계속해서 축소될 수 있도록 해줍니다.

램의 Versys Metal 제품군은 이처럼 중요한 식각 단계를 수행할 수 있도록 유연한 플랫폼에서 높은 생산 능력을 제공합니다.

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Lam Research plasma etch – dielectric etch

Flex™ 제품군

기술: 반응성 이온 식각(RIE)
솔루션: 트랜지스터, 인터커넥트, 패터닝, 첨단 메모리

유전체 식각 작업은 반도체 소자의 전기 전도성 부품 사이에 장벽을 만들기 위해 절연 물질에 패턴을 새기는 것입니다. 첨단 소자에서는 이러한 구조가 매우 높고 얇으며, 복잡하고 민감한 물질과 관련되어 있을 수 있습니다. 원자 수준의 아주 작은 변화라 할지라도, 원하는 프로파일에서 조금만 벗어나면 소자의 전기적 특성에 부정적인 영향을 미칠 수 있습니다.

이처럼 어려운 구조를 정밀하게 형성할 수 있도록 램의 Flex 제품군은 차별화된 기술 및 적용 분야에 초점을 맞춘 능력을 제공하여, 매우 중요한 유전체 식각 응용분야에서도 사용할 수 있습니다.

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Lam Research plasma etch – through-silicon via (TSV) etch

Syndion® 제품군

기술: 반응성 이온 식각(RIE)
솔루션: 패키징

실리콘 관통전극(TSV)은 3D 집적회로(3D IC)에서 다이와 다이를 적층시켜 보다 작고 빠르며 더욱 강력한 모바일 전자기기를 만들 수 있게 합니다. 높은 ‘컬럼’(또는 전극)을 만들어 내려면, 조심스럽게 제어되는 여러 단계의 식각 공정을 통해 다양한 박막을 통과하는 터널을 정확하게 뚫어야 합니다.

램의 Syndion 식각 제품군은 레이어별로 공정의 유연한 제어를 가능하게 하며, TSV 적용 조건에서 비용 효율적으로 전극을 식각할 수 있습니다.

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