電漿蝕刻

精準直達原子等級

Lam Research plasma etch – conductor etch

Kiyo® 產品系列

技術:反應式離子刻蝕 (Reactive Ion Etch), 原子層蝕刻 (Atomic Layer Etch)
解決方案: 電晶體 (Transistor), 連結導線 (Interconnect), 層相 (Patterning), 高階記憶體 (Advanced Memory)

導體蝕刻技術用於在半導體元件中形成 「主動」電性材料。在這些微結構中,即使製程中產生輕微的變異,都可能導致一個足以影響元件性能的電性缺陷(electrical defect)。而由於這些結構非常細微,因此蝕刻製程實已進展到物理和化學定律的的極限。

Lam Research Kiyo產品系列能以高產能、高精確度及高穩定性的效能形成這些導電特徵。

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Lam Research plasma etch – metal etch

Versys® 金屬產品系列

技術:反應式離子刻蝕 (Reactive Ion Etch)
解決方案: 連結導線 (Interconnect)

金屬蝕刻製程在積體電路上的各組件連線扮演重要的角色,諸如形成導線以及電性連接。這種製程也可用於蝕穿金屬硬式光罩(MHM),此金屬硬式光罩乃用於形成更細微的特徵,可超越傳統光罩製程的處理極限,因此元件關鍵尺寸能持續縮小。

為了實現這個關鍵蝕刻製程,Lam Research Versys金屬產品系列提供了一個兼具高產能與製程彈性的設計平台。

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Lam Research plasma etch – dielectric etch

Flex™ 產品系列

技術:反應式離子刻蝕 (Reactive Ion Etch)
解決方案:電晶體 (Transistor), 連結導線 (Interconnect), 層向 (Patterning), 高階記憶體 (Advanced Memory)

介電質蝕刻用於雕琢半導體元件中絕緣材料的圖案,而在元件導電部位之間築起屏障。在先進電子元件中,這些結構常常既高且窄,並會包含一些複雜而敏感的材料。若是特徵形狀與目標值產生細微的誤差,即使只有原子等級,也會對元件的電氣性能產生不利影響。

為了能夠精確地形成這些具挑戰性的結構,Lam Research Flex系列產品針對關鍵蝕刻製程應用提供差異化的技術以及應用導向的功能。

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Lam Research plasma etch – through-silicon via (TSV) etch

Syndion® 產品系列

技術:反應式離子刻蝕 (Reactive Ion Etch)
解決方案: 封裝 (Packaging)

矽穿孔通道(TSV)提供3D積體電路晶片堆疊的互連結構,能產生出尺寸更小,速度更快,功能更強大的行動裝置線路。這些狹長的「導柱」(或通路是行經不同薄膜層的極精密通道,必須透過多重嚴格控制的蝕刻程序才能製成。

Lam Research Syndion蝕刻產品系列能依薄膜層的不同而具有分層處理的彈性,能針對矽穿孔通路(TSV)的應用提供具成本效益的蝕刻方案。

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