微機電系統和發光二極體

從細微處創造奇蹟的製程

微機電系統 (MEMS) 在消費產品上已經越來越常見,諸如印表機噴墨頭(printer head),慣性感測器 (initial sensor)、行動裝置和通訊產品。另外微機電系統也可見於虛擬實境 (augmented reality, AR) 的產品上,用於改善線上遊戲的體驗感 (game experience)。

上述各種消費市場上應用的增加也使得微機電系統 (MEMS) 元件的產量增加,而這類大宗商品所需的半導體元件,訴求以高品質又具經濟效益的方式製造,並且特別重視產品良率與生產再現性。

Lam Research的矽蝕刻 (silicon etch)、介電質沉積技術 (dielectric deposition)、旋轉式濕式清洗 (spin wet clean) 以及乾式光阻去除(dry strip)等產品,非常適合於生產微機電系統 (MEMS) 元件、功率元件和矽穿孔通道 (TSV)。藉由 Lam Research 的成熟製程能力可以協助這些領域的製造商以快速又經濟的方式達到量產目標。

深矽蝕刻 (Deep Silicon Etch)

Lam Research plasma etch for MEMS – deep silicon etch

TCP®9400DSiE™ 產品系列採用 Lam Research 領先業界的矽蝕刻技術,其主要客戶遍布全球,應用範圍包含微機電系統 (MEMS)、矽穿孔通道 (TSV)、功率元件和被動元件等深矽蝕刻應用。該產品可同時使用 Bosch 製程和穩態製程,以滿足矽深反應離子蝕刻技術(Silicon Deep RIE)的要求。脈衝式低頻電漿技術 (pulsed low-frequency plasma technology) 可以進行極小口徑 (minimal notching) 並利用氧化物做蝕刻終止 (stop-on-oxide etch) 的技術。此系統還具有即時即地 (in-situ)自動腔體清潔和精確控制RF的優勢,能在嚴格的條件下提供非常穩定的高產量。

電漿輔助化學氣相沉積 (PECVD)

Lam Research dielectric films for MEMS – plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD)

Lam Research經量產驗證的電漿輔助化學氣相沉積 (PECVD) 產品具有低缺陷率、卓越的製程均勻度 (uniformity)、優良的薄膜緻密性 (hermetic film property) 與高效率產出的性能,可進行低溫鈍化層沉積、硬式光罩沉積或介電質薄膜封裝。微機電系統 (MEMS) 應用導向的薄膜可包括二氧化矽 (SiO2)、氮化矽 (SiN)、超紫外光氮化矽 UVSiN 和 EOS 製程之介電層。

旋轉濕式清洗 (Spin Wet Clean)

Lam Research wet clean for MEMS

我們經過驗證的濕式清洗/濕式蝕刻產品,採用 Lam Research 的旋轉式技術,可以滿足廣泛的製程需求,提供具有優良均勻度 (uniformity) 的矽基板濕式蝕刻技術、可控制底切 (undercut) 的背面/斜面薄膜去除技術、以事先規範的形狀進行金屬製程 (metal structure) 以及濕式光阻去除製程中關鍵的化學處理技術。我們也提供單腔體、雙腔體和多腔體的配置方式。

乾式光阻去除 (DRY STRIP)/殘渣清除

Lam Research photoresist strip for MEMS

Lam Research的乾式光阻去除系統以高產量的效能,提供了包含光阻去除製程、清洗製程,殘渣清除還有輕度蝕刻(light etch)製程等各種解決方案。以遠端之微波 (downstream microwave) 或射頻偏壓(RF bias)雙重能量源的技術 (dual-source technology),可比濕式清洗方案省下更多化學原料支出。本產品可支援的晶圓基板(substrate )直徑為2~8英寸。

若欲了解更多本公司有關微機電系統(MEMS)低成本解決方案的詳情,請與我們聯繫 salesinformation@lamresearch.com.

發光二極體 (LED) 在行動電話、手持影音裝置、電視和車上顯示器等日常產品中已越來越多見。隨著新消費產品應用的出現,高性能發光二極體(亮度高、呈色準確和節能)的需求正持續增長中。

LED 製造商為了因應不斷成長的消費產品需求,需要能有高生產報酬率且具備高產能效率的設備,並以高良率進行可再現的製程。

Lam Research 在電漿蝕刻技術、薄膜介電質 (thin film dielectrics)、金屬製程 (metallization)、和光阻去除技術的經驗,已經發展超過25年,這些都可應用在發光二極體 (LED) 製造設備上。我們利用自家的成熟技術開發針對發光二極體 (LED )的專屬製程,以兼具經濟效益與高產量的方式,提供前段晶片製造和後段封裝的解決方案。

電漿蝕刻 (Plasma Etch)

Lam Research plasma etch for LED

我們領先業界的電漿蝕刻系統能以低成本的優勢,提供卓越的均勻度和高產能。此系統能應付不同製程的大量生產需求,同一腔體中所支援的晶圓直徑為6~8英寸。發光二極體 (LED)的應用包括圖案化藍寶石基板 (patterned sapphire substrate, PSS)、氧化物遮罩開口(oxide mask open)以及對鋁、氮化鎵 (GaN) 和鎢的蝕刻技術。

電漿輔助化學氣相沉積 (PECVD)

Lam Research dielectric films for LED – plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD)

Lam Research經量產驗證的電漿輔助化學氣相沉積 (PECVD) 產品具有低缺陷率、卓越的製程均勻度(uniformity)與優良的薄膜緻密性 (hermetic film property),可進行低溫鈍化層沉積、硬式遮罩沉積或介電質薄膜封裝。微機電系統(MEMS)應用導向的薄膜可包括二氧化矽 (SiO2)、氮化矽(SiN)、超紫外光氮化矽 UVSiN 和 TEOS。

電鍍 (Electroplating)

Lam Research metal films for LED – electroplating

我們經過驗證的高產能系統,能產生的銅厚度為50微米以上。應用在發光二極體 (LED) 製造所需的電鍍的金屬包括銅,鎳,和金。機台模組化結構具有16個單元(cell) 的設計彈性。此系統可支援直徑4到12英寸的晶片托盤(tray)或載具 (carrier)。

乾式光阻去除 (DRY STRIP)/殘渣清除

Lam Research photoresist strip for LED

Lam Research 的乾式光阻去除系統以高輸出率的效能,提供了包含光阻去除製程、清洗製程,殘渣清除還有輕度蝕刻(light etch)製程等各種解決方案。以遠端之微波(downstream microwave)和射頻偏壓 (RF bias) 雙重能量源技術 (dual-source technology) 可比濕式清洗方案省下更多化學原料的支出。本產品支援的晶圓基板直徑為2~8英寸。

若欲了解更多本公司有關發光二極體(LED)低成本解決方案的詳情,請與我們聯繫 salesinformation@lamresearch.com.

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