Strip & Clean Products | Photoresist Strip. Wet Clean. Plasma Bevel Clean | Lam Research

去胶和清洗

提供完全洁净的表面

在各个制造步骤之间,需要采用去胶和清洗工艺,清除后期可能导致缺陷的无用材料,使硅片表面做好后续加工准备。光刻胶去胶工艺在离子植入或刻蚀之后,清除光刻薄膜和残余物。为了清除颗粒、污染物、残余物和其他无用材料,必须在整个制造过程中插入硅片清洗步骤。湿法加工技术可用于硅片清洗、去胶和刻蚀应用。等离子斜面清洗通过从硅片边缘清除可能会影响器件面积的无用材料,提高芯片成品率。

泛林集团去胶技术可选择性地清除残余的光刻胶,工艺灵活性高,适用于多种应用,而针对要求最严苛的清洗步骤,我们具有高生产力的清洗产品可提供从中心到边缘均干净的表面。


去胶和清洗

我们的产品

DV-PRIME和DA VINCI产品

湿法清洗

这些产品提供了所需的工艺灵活性和高生产率,以解决整个制造过程中的多个晶片清洗步骤。

EOS产品系列

湿法清洗

在越来越严苛的应用需求下,Lam的先进湿清洗产品能够在确保高产量的前提下实现极低的晶片缺陷率。

Phoenix 产品系列

光刻胶去除 光刻胶显影 湿法清洗/去胶/刻蚀 电化学沉积 (ECD)

Phoenix 可为 510×515 毫米的基板提供全自动大批量面板加工。

Reliant 清洗产品

Reliant 设备 湿法清洗/去胶/刻蚀

我们的 Reliant 清洗产品可实现特色工艺路线图,并延长晶圆厂的生产设备利用年限。

SP系列产品

湿法清洗

这些经过验证的产品系列可提供可靠的、成本效益高的湿清洗/湿刻蚀解决方案,可温和地去除晶片上不需要的材料。

Triton 产品系列

湿法清洗/去胶/刻蚀 电化学沉积 (ECD)

Triton 平台是用于单晶圆电镀和湿法工艺的多功能模块化解决方案。

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