WAFER PROCESS SOLUTIONS

Leading the Way for Technology Transitions

FinFET Transistor Structure

作为芯片的“大脑”,晶体管是一种用于控制电流的微小开关。在单一集成电路中可能有数十亿个晶体管。

对更小更强大的电子产品的需求正在推动新的晶体管结构的发展,如 3D FinFET 设计和高 k 值/金属栅极等特殊材料的使用。这些使得器件特征尺寸的不断缩小成为可能。

以目前原子层级的最新晶体管尺寸,它们的制造极具挑战性。如果无法实现所需结构的精准控制,则会影响器件的性能。

  Process Technology Products
Etch Conductor Etch Reactive Ion Etch, ALE Kiyo family
Dielectric Etch Reactive Ion Etch Flex family
Deposition Metal Films CVD, ALD (Tungsten) ALTUS family
Dielectric Films PECVD VECTOR family
  ALD Striker family
  Gapfill HDP-CVD SPEED family
Film Treatment UVTP SOLA family
Strip & Clean Photoresist Removal Dry Strip GAMMA family
Wafer Cleaning Wet Clean EOS, DV-Prime
Bevel Cleaning Dry Plasma Clean Coronus family

 

Example of copper interconnect structure

Copper Interconnect Structure

连接导线弥补了错综复杂的布线,用于连接一个芯片上的数十亿单个组件(晶体管、电容器等等)。

随着越来越小的器件更加紧密地集成在一起,就需要有更多层的连接导线,这使得连接变得越发具有挑战性。利用新的介质材料来提升绝缘能力以及新技术来降低金属连接的电阻已成为必要条件。

为了生产最新的高性能电子设备,先进的连接导线结构具有狭窄线宽和复杂薄膜层,这就要求越发灵活而精准的工艺能力。

  Process Technology Products
Etch Conductor Etch Reactive Ion Etch, ALE Kiyo family
    Versys Metal family
Dielectric Etch Reactive Ion Etch Flex family
Deposition
Metal Films ECD (Copper) SABRE family
  CVD, ALD (Tungsten) ALTUS family
Dielectric Films PECVD VECTOR family
  Gapfill HDP-CVD SPEED family
Film Treatment UVTP SOLA family
Strip & Clean Photoresist Removal Dry Strip GAMMA family
Wafer Cleaning Wet Clean EOS, Da Vinci, DV-Prime
Bevel Cleaning Dry Plasma Clean Coronus family

 

Example of multiple patterning process steps

Multiple Patterning Process Steps

成像指的是使用掩膜(如模板或蓝图)来定义细微而复杂集成电路特征图形的一套工艺步骤。

器件的尺寸随着每一代技术的发展变得越来越小。对于先进技术图形,其特征尺寸太小,以至于常规的成像和光刻方法无法实现。因而,双重成像乃至四重成像等技术就用来进行弥补。

即便这些方法缓解了光刻的局限性,但还是带来了对工艺精准度和薄膜性能的极高要求,以确保精确地生产所需的小尺寸和高密度图形。

  Process Technology Products
Etch Conductor Etch Reactive Ion Etch, ALE Kiyo family
Dielectric Etch Reactive Ion Etch Flex family
Deposition Dielectric Films PECVD VECTOR family
  ALD Striker family
Strip & Clean Photoresist Removal Dry Strip GAMMA family
Wafer Cleaning Wet Clean EOS, DV-Prime
Bevel Cleaning Dry Plasma Clean Coronus family

 

3D NAND Memory Structure

存储单元是用于存储电子数据的芯片组件,包括短期挥发性(如 DRAM)和长期非挥发性(如 闪存)两种存储类型。

闪速存储器的使用因为移动消费类设备而继续增长,其大量数据需要以紧凑的形式进行存储。一种增加设备密度以产生更多存储空间的方法是使用 3D 架构,尤其是用于 NAND 快闪存储器。

由于这些 3D 结构能够在同一时间生成很多存储层级,导致小的微差可能被严重放大,因而需要对精准度和工艺的可重复性进行严苛的控制。

  Process Technology Products
Etch Conductor Etch Reactive Ion Etch, ALE Kiyo family
Dielectric Etch Reactive Ion Etch Flex family
Deposition Metal Films ECD (Copper) SABRE family
  CVD, ALD (Tungsten) ALTUS family
Dielectric Films PECVD VECTOR family
  ALD Striker family
  Gapfill HDP-CVD SPEED family
Strip & Clean Photoresist Removal Dry Strip GAMMA family
Wafer Cleaning Wet Clean EOS
Bevel Cleaning Dry Plasma Clean Coronus family

 

Through-Silicon Via (TSV)

封装是指在成品芯片周围形成保护性外壳,并为输入/输出创造外部连接的工艺步骤。

消费者对更小、更快和更强大的移动电子设备的需求正在推动替代性封装方式的发展,如芯片级和晶圆级封装 (WLP)。一种技术是使用直通硅晶穿孔技术 (TSV),其以金属导电柱来连接堆叠的芯片。

这些策略为有关制程步骤带来多种挑战,譬如对一系列特征形状、多种材料类型和严格的热预算管理。

  Process Technology Products
Etch TSV Etch Deep RIE Syndion family
Deposition Metal Films ECD (Copper & Other) SABRE 3D
  CVD, ALD (Tungsten) ALTUS family
Dielectric Films ALD Striker family
Strip & Clean
Strip & Clean Wet  DV-Prime, SP Series

 




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