{"id":1858,"date":"2017-09-07T14:03:12","date_gmt":"2017-09-07T21:03:12","guid":{"rendered":"https:\/\/lamrstage.wpengine.com\/product\/syndion-product-family\/"},"modified":"2021-12-15T09:21:34","modified_gmt":"2021-12-15T17:21:34","slug":"syndion-product-family","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.lamresearch.com\/de\/product\/syndion-product-family\/","title":{"rendered":"Syndion-Produktfamilie"},"content":{"rendered":"<p>Der Begriff des Siliziumtiefen\u00e4tzens bezieht sich auf plasmabasierte Prozesse zur Siliziumentfernung, die zur Entstehung von Merkmalen f\u00fchren, die um viele Gr\u00f6\u00dfenordnungen gr\u00f6\u00dfer sein k\u00f6nnen als die in fortschrittlichen Transistoren und Speicherzellen anzutreffenden Features.<\/p>\n<p>Die Syndion<sup>\u00ae<\/sup>-Produktfamilie von Lam Research wurde dahingehend optimiert, dass ein Siliziumtiefen\u00e4tzen mit der zur Erf\u00fcllung der Genauigkeitsanforderungen n\u00f6tigen Tiefen- und Wafer-zu-Wafer-Gleichm\u00e4\u00dfigkeit gew\u00e4hrleistet ist.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>F\u00fcr Tiefen\u00e4tzanwendungen bietet diese Produktfamilie die au\u00dfergew\u00f6hnliche Wafer-zu-Wafer-Gleichm\u00e4\u00dfigkeit, die f\u00fcr kritische Features mit hohem Querschnittsverh\u00e4ltnis unabdingbar ist.<\/p>\n","protected":false},"author":31,"featured_media":10823,"parent":0,"menu_order":148,"template":"","meta":{"_acf_changed":false,"_relevanssi_hide_post":"","_relevanssi_hide_content":"","_relevanssi_pin_for_all":"","_relevanssi_pin_keywords":"","_relevanssi_unpin_keywords":"","_relevanssi_related_keywords":"","_relevanssi_related_include_ids":"","_relevanssi_related_exclude_ids":"","_relevanssi_related_no_append":"","_relevanssi_related_not_related":"","_relevanssi_related_posts":"","_relevanssi_noindex_reason":"","footnotes":""},"process":[377],"solution":[634,330,349],"technology":[259,292],"class_list":["post-1858","product","type-product","status-publish","has-post-thumbnail","hentry","process-etch-de","solution-advanced-packaging-de","solution-interconnect-de","solution-sensors-transducers-de","technology-reactive-ion-etch-de","technology-drie-de"],"acf":[],"yoast_head":"<!-- This site is optimized with the Yoast SEO plugin v27.4 - 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Dieses Verfahren wird bei der Entwicklung von Bestandteilen mit gr\u00f6\u00dferen und h\u00f6heren Querschnittsverh\u00e4ltnissen eingesetzt, etwa bei Siliziumdurchkontaktierungen und Gr\u00e4ben:<\/p>\n<ul>\n<li>Siliziumdurchkontaktierungen (TSVs) sind vertikale Strukturen, die elektrische Verbindungen durch einen Die oder Wafer herstellen.\u00a0TSV \u2013 eine Schl\u00fcssell\u00f6sung f\u00fcr Advanced Packaging einschlie\u00dflich der heterogenen Integration \u2013 erfordern eine ausgezeichnete Profilkontrolle, eine hohe In-Wafer-Uniformit\u00e4t und eine hohe Produktivit\u00e4t.<\/li>\n<li>Die in komplement\u00e4ren Metalloxidhalbleiter(CMOS)-Bildsensoren eingesetzten tiefen Grabenstrukturen stehen vor \u00e4hnlichen Herausforderungen, f\u00fcr deren Bew\u00e4ltigung glatte Seitenwandprofile mit strenger Taper-Kontrolle ben\u00f6tigt werden.\u00a0Ebenso wichtig sind die Tiefengleichm\u00e4\u00dfigkeit, die Gleichm\u00e4\u00dfigkeit der kritischen Ma\u00dfe (CD) und die Maskenselektivit\u00e4t.<\/li>\n<li>Grabenstrukturen in hochentwickelten Leistungshalbleitern mit einem gro\u00dfen offenen Bereich und hohem Querschnittsverh\u00e4ltnis bringen zus\u00e4tzliche Herausforderungen bzgl. der Profilkontrolle und der Wafer-zu-Wafer-Gleichm\u00e4\u00dfigkeit mit sich, aber auch hinsichtlich einer Verbesserung der Produktivit\u00e4t f\u00fcr die Gro\u00dfserienfertigung.<\/li>\n<\/ul>\n<p>Eine Option f\u00fcr das Hesrtellen dieser Strukturen besteht in einem schnellen Wechsel zwischen den \u00c4tz- und Beschichtungsphasen w\u00e4hrend des Herstellungsprozesses, um dadurch sowohl die Strukturen auszubilden als auch die Seitenw\u00e4nde mit Schichtmaterialien zu sch\u00fctzen.\u00a0Immer h\u00f6here Querschnittsverh\u00e4ltnisse, die Einf\u00fchrung neuer Werkstoffe und strengere Bema\u00dfungsanforderungen beim Herstellungsprozess haben diese Herausforderungen in den letzten Jahren noch anwachsen lassen.<\/p>\n<p>Dar\u00fcber hinaus m\u00fcssen sich die Chiphersteller h\u00e4ufig zwischen unerw\u00fcnschten Scallops \u2013 die sich aus dem st\u00e4ndigen Wechsel zwischen \u00c4tz- und Beschichtungsschritten ergeben \u2013 und der \u00c4tzgeschwindigkeit entscheiden. Die Gr\u00f6\u00dfe der Scallops kann zwar reduziert werden, aber das geht auf Kosten der f\u00fcr eine kosteneffiziente Fertigung notwendigen Produktivit\u00e4t.<\/p>\n<hr style=\"margin: 28px 0px 10px 0px;\" \/>\n<p><span class=\"font-MessinaSerif-RegularItalic\" style=\"color: #20a785; font-size: 20px;\"><strong>Die verbesserte Quelle und \u00c4tzkammer-Hardware sowie die ebenfalls verbesserten Prozessf\u00e4higkeiten bieten genau die Pr\u00e4zisionsl\u00f6sung, die Chiphersteller brauchen, um Anwendungen im Bereich des Siliziumtiefen\u00e4tzens zu unterst\u00fctzen.<\/strong><\/span><\/p>\n<hr style=\"margin: 10px 0px;\" \/>\n","key_benefits":["Schnell wechselnde Prozesse (RAP) liefern eine pr\u00e4zise Tiefengleichm\u00e4\u00dfigkeit f\u00fcr Graben-Querschnittsverh\u00e4ltnisse","Niedrige Betriebskosten aufgrund hoher \u00c4tzgeschwindigkeiten, ausgezeichneter Wiederholbarkeit und In-situ-\u00c4tzen mehrerer Materialien in TSV-Stacks (Silizium, Dielektrika und leitende Schichten)","Hervorragende Gleichm\u00e4\u00dfigkeit kritischer Ma\u00dfe (CD) von Wafer zu Wafer, ausgezeichnete Tiefengleichm\u00e4\u00dfigkeit und exzellente Profilkontrolle f\u00fcr besonders leistungsf\u00e4hige, hochentwickelte Power-Trench-Ger\u00e4te und die Waferausbeute.","In dieser Kategorie f\u00fchrende Produktivit\u00e4t und Fertigungsleistung unter Nutzung der aus der vollst\u00e4ndigen Suite der Lam-RIE-Systeme gewonnenen Erkenntnisse"],"product_offerings":["Syndion<sup>\u00ae<\/sup> C","Syndion<sup>\u00ae<\/sup> F-Serie","Syndion<sup>\u00ae<\/sup> G-Serie"],"key_applications":["TSV f\u00fcr Speicherelemente mit hohen Bandbreiten und Advanced Packaging","Strukturen mit hohen Querschnittsverh\u00e4ltnissen f\u00fcr CMOS-Bildsensoren","Strukturen mit gro\u00dfen offenen Bereichen und hohen Querschnittsverh\u00e4ltnissen, analoge integrierte Schaltkreise (ICs), mikroelektronechanische Systeme (MEMS) und Waferr\u00fcckseiten-Verarbeitung"],"featured_media_src":"https:\/\/www.lamresearch.com\/wp-content\/uploads\/2017\/09\/Syndion_Products_1920x600.jpg","drawer_background_image":{"id":10823,"src":"https:\/\/www.lamresearch.com\/wp-content\/uploads\/2017\/09\/Syndion_Products_1920x600.jpg"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.lamresearch.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product\/1858","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.lamresearch.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.lamresearch.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/types\/product"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.lamresearch.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/users\/31"}],"version-history":[{"count":0,"href":"https:\/\/www.lamresearch.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product\/1858\/revisions"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.lamresearch.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media\/10823"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.lamresearch.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=1858"}],"wp:term":[{"taxonomy":"process","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.lamresearch.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/process?post=1858"},{"taxonomy":"solution","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.lamresearch.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/solution?post=1858"},{"taxonomy":"technology","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.lamresearch.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/technology?post=1858"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}