{"id":1883,"date":"2017-09-07T13:49:32","date_gmt":"2017-09-07T20:49:32","guid":{"rendered":"https:\/\/lamrstage.wpengine.com\/product\/altus-product-family\/"},"modified":"2025-04-10T12:02:21","modified_gmt":"2025-04-10T19:02:21","slug":"altus-product-family","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.lamresearch.com\/de\/product\/altus-product-family\/","title":{"rendered":"ALTUS Produktfamilie"},"content":{"rendered":"<p>Lams marktf\u00fchrende ALTUS<sup>\u00ae<\/sup>-Systeme verbinden CVD- und ALD-Technologien, um die in hohem Grad konforme Schichten aufzutragen, die f\u00fcr fortgeschrittene Wolfram-Metallbeschichtungsanwendungen notwendig sind.<\/p>\n<p>Molybd\u00e4n (Mo) kann mittels ALD abgeschieden werden, um eine bessere F\u00fcllung der Bauelemente zu erm\u00f6glichen.  Alternativ kann es auch mit nicht fluorierten Halogenid-Vorl\u00e4ufern abgeschieden werden, um dielektrische Sch\u00e4den zu vermeiden, die bei einigen Wolframanwendungen auftreten.  Die Prozesse der R\u00fcck\u00e4tzung und des chemisch-mechanischen Polierens (CMP) werden mit bekannten Chemikalien und Werkzeugen durchgef\u00fchrt, um eine schnellere Integration in den Fertigungsprozess zu erm\u00f6glichen.<\/p>\n<p>Wolframbeschichtungen werden verwendet, um auf Chips leitf\u00e4hige Bestandteile wie Kontakte, Vias und Stecker zu bilden.  Diese Bestandteile sind klein, oftmals schmal, und verwenden nur geringe Mengen an Metall, sodass es schwierig sein kann, den Widerstand zu minimieren und eine vollst\u00e4ndige F\u00fcllung zu erreichen.  Bei diesen Strukturgr\u00f6\u00dfen im Nanobereich k\u00f6nnen sich sogar kleinste M\u00e4ngel auf die Leistung des Bauteils auswirken oder f\u00fcr das Versagen des Chips sorgen.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Durch die Kombination von CVD- und ALD-Technologien tragen diese marktf\u00fchrenden Systeme in hohem Grad konforme Metallschichten f\u00fcr moderne Wolfram-Metallbeschichtungsanwendungen auf.<\/p>\n","protected":false},"author":31,"featured_media":10516,"parent":0,"menu_order":183,"template":"","meta":{"_acf_changed":false,"_relevanssi_hide_post":"","_relevanssi_hide_content":"","_relevanssi_pin_for_all":"","_relevanssi_pin_keywords":"","_relevanssi_unpin_keywords":"","_relevanssi_related_keywords":"","_relevanssi_related_include_ids":"","_relevanssi_related_exclude_ids":"","_relevanssi_related_no_append":"","_relevanssi_related_not_related":"","_relevanssi_related_posts":"","_relevanssi_noindex_reason":"","footnotes":""},"process":[361],"solution":[634,315,330,352],"technology":[309,299],"class_list":["post-1883","product","type-product","status-publish","has-post-thumbnail","hentry","process-deposition-de","solution-advanced-packaging-de","solution-advanced-memory-de","solution-interconnect-de","solution-transistor-de","technology-atomic-layer-deposition-ald-de","technology-chemical-vapor-deposition-cvd-de"],"acf":[],"yoast_head":"<!-- This site is optimized with the Yoast SEO plugin v27.3 - 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Dadurch wird die Struktur\u00f6ffnung geschlossen, bevor eine vollst\u00e4ndige F\u00fcllung erreicht werden kann, was zu Hohlr\u00e4umen, h\u00f6herem Widerstand und Kontaktfehlern f\u00fchrt.  Sogar g\u00e4nzlich gef\u00fcllte, kleinere Strukturen enthalten weniger Wolfram, was zu h\u00f6herem Kontaktwiderstand f\u00fchrt.<\/p>\n<p style=\"margin-top: 1em\">Moderne Speicher- und Logikstrukturen ben\u00f6tigen Abscheidungstechniken, die eine vollst\u00e4ndige, defektfreie Wolframf\u00fcllung erm\u00f6glichen, w\u00e4hrend der Widerstand der Wolframmasse reduziert wird.  Gute Schutzfilmabdeckung und geringer Widerstand (relativ zu PVD\/CVD-Schutzfilmen) werden ben\u00f6tigt, um die Kontaktf\u00fcllung zu verbessern und den Kontaktwiderstand zu vermindern.<\/p>\n<p style=\"margin-top: 1em;margin-bottom: 40px\"> Die Nachfrage nach fortschrittlicheren Rechenkapazit\u00e4ten steigt betr\u00e4chtlich, wobei die heutigen Chiphersteller im Wettlauf um die Skalierung an die Grenzen des Machbaren sto\u00dfen.<\/p>\n<h3>Warum Molybd\u00e4n?<\/h3>\n<p style=\"margin-top: 1em\">Um die Anforderungen von NAND-, DRAM- und Logikfunktionen zu erf\u00fcllen, ist eine andere Abscheidungstechnologie erforderlich.  Herk\u00f6mmliche Metallisierungssysteme k\u00f6nnen diese Skalierungsanforderungen einfach nicht erf\u00fcllen, sodass die Branche die Metallisierung mit Molybd\u00e4n (Mo) bei allen drei f\u00fchrenden IC-Typen einf\u00fchrt.<\/p>\n<p style=\"margin-top: 1em\">Es bedarf jedoch noch erheblicher Innovationen, um Mo f\u00fcr die Herstellung mit ALD-Werkzeugen nutzbar zu machen.  Zu diesen Herausforderungen geh\u00f6ren:  Die F\u00e4higkeit, hohe Temperaturen anzuwenden, erm\u00f6glicht fortschrittliche Reaktor- und Prozessabl\u00e4ufe, die pr\u00e4zise Steuerung der Wafertemperatur und die Bereitstellung des festen Mo-Vorl\u00e4ufers in gro\u00dfen Mengen durch verschiedene chemische Verfahren.<\/p>\n<p><a href=\"https:\/\/www.lamresearch.com\/de\/products\/our-solutions\/metallization\/\">Weitere Informationen finden Sie auf der Seite \u201eMetallbeschichtungsl\u00f6sungen\u201c<\/a><\/p>\n","key_benefits":["Quad Station Module(QSM)-Architektur f\u00fcr Prozessflexibilit\u00e4t und Produktivit\u00e4t mit sequenzieller Verarbeitung und Multi-Temperatur-Beschichtung f\u00fcr Liner und Bulk","Fortschrittliche ALD-F\u00fclltechnologie  ","Steuerung der Wafer-Durchbiegung mit per Vakuum gespanntem Hochtemperatur-Keramiksockel f\u00fcr hervorragende thermische Gleichm\u00e4\u00dfigkeit ohne r\u00fcckseitige Abscheidung","Sub-Fab-Sublimationseinheit f\u00fcr die Lieferung von Ausgangsstoffen, was zu einem geringeren Platzbedarf im Werk und einem ununterbrochenen Wechsel der Ausgangsstoff-Ampullen f\u00fchrt","Integrierte Reinigung durch fortschrittliches chemisches \u00c4tzen (ACE)","Sequenzielle oder Batch-Prozesse mit mehreren Stationen und mehreren Temperaturen","Thermische und Plasma-Mo-ALD","Optionen f\u00fcr kapazitiv gekoppelte Plasma(CCP)- und dezentrale Plasmavorbehandlung","Flexibilit\u00e4t der Plattformkonfiguration","Branchenma\u00dfstab f\u00fcr die Leistungsf\u00e4higkeit bei Wolframfilmen\n","Nukleierungsschicht, gebildet mithilfe von Lams Prozess der gepulsten Nukleierungsbeschichtung (PNL) mit ALD und lokaler CVD-F\u00fcllmasse, erm\u00f6glicht durch die patentierte \u201eMulti-Station Sequential Deposition\u201c-Architektur (MSSD)\n","Insgesamt geringerer Widerstand der d\u00fcnnen W-Schichten durch den Einsatz von ALD, um die Schichtdicke zu reduzieren und die Grangr\u00f6\u00dfe der CVD-F\u00fcllmasse zu ver\u00e4ndern\n","Niedrig-Fluor-, Niedrig-Spannung-Wolframf\u00fcllung f\u00fcr 3D NAND und DRAM\n","Abdeckung hoher Kanten mit reduzierter Schichtdicke (relativ zu herk\u00f6mmlichem Schichten) durch die Verwendung von ALD in der Abscheidung von WN-Filmen.\n"],"product_offerings":["ALTUS<sup>\u00ae<\/sup> Halo","Concept Two<sup>\u00ae<\/sup> ALTUS<sup>\u00ae<\/sup>","ALTUS<sup>\u00ae<\/sup> Max","ALTUS<sup>\u00ae<\/sup> Max ExtremeFill\u2122  ","ALTUS<sup>\u00ae<\/sup> DirectFill\u2122 Max","ALTUS<sup>\u00ae<\/sup> Max ICEFill<sup>\u00ae<\/sup>","ALTUS<sup>\u00ae<\/sup> LFW"],"key_applications":["Stecker-, Kontakt- und Via-F\u00fcllung","3D NAND Wordline","Spannungsarme Verbindungen aus Verbundmaterial","WN-Schutzfilm f\u00fcr Via- und Kontakt-Metallbeschichtung"],"featured_media_src":"https:\/\/www.lamresearch.com\/wp-content\/uploads\/2017\/09\/Altus_Products_1920x600.jpg","drawer_background_image":{"id":10516,"src":"https:\/\/www.lamresearch.com\/wp-content\/uploads\/2017\/09\/Altus_Products_1920x600.jpg"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.lamresearch.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product\/1883","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.lamresearch.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.lamresearch.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/types\/product"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.lamresearch.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/users\/31"}],"version-history":[{"count":0,"href":"https:\/\/www.lamresearch.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product\/1883\/revisions"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.lamresearch.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media\/10516"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.lamresearch.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=1883"}],"wp:term":[{"taxonomy":"process","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.lamresearch.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/process?post=1883"},{"taxonomy":"solution","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.lamresearch.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/solution?post=1883"},{"taxonomy":"technology","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.lamresearch.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/technology?post=1883"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}