字元線金屬化 – 轉型到鉬

人們正在考慮各種金屬，但鉬最具發展前景，因為它符合先進記憶體和邏輯晶片所需的原子尺寸。 採用鉬的一個常見驅動因素是其薄膜電阻率，這是金屬元件微縮所必需的。

不像鎢（Tungsten）和許多其他金屬，鉬不需要附著層或阻障層來防止漏電流，從而避免電氣短路。 這有助於簡化製程，並透過省去額外的步驟和設備來降低成本。

從鎢轉型到鉬的解決方案

鉬可運用於原子層沉積的技術，以便更好地填充在元件特徵上。 或者，可使用非氟化鹵化物來沉積鉬，以避免在某些在鎢應用中造成的介電層損壞。 此外，鉬回蝕和化學機械平坦化（CMP）製程是採用已知的化學品和設備來完成的，以便更快整合到晶圓廠製程流程。

但是，若要使用原子層沉積設備讓鉬在製造中變得可行，則需要進行重大創新。 這些挑戰包括：

• 能夠施加高溫
• 實現先進的反應器和製程序列設計
• 能夠精確控制晶圓溫度
• 透過各種化學處理方式傳輸固態鉬的反應原料

科林研發正在引領原子層沉積領域創新的開發，以推動鉬的普及。透過充分運用深厚的知識和研究、設備設計、單元製程效能，以及跨元件和應用的整合，我們推出了最新的原子層沉積技術創新，ALTUS® Halo。