製造具原子級精密度的特徵結構
透過選擇性地去除在沉積期間添加的介電層(絕緣)和金屬(導電)材料，蝕刻製程可用來製作晶片的特徵結構。這些製程涉及製造越來越小、複雜、高且窄的特徵結構，並使用多種類型的材料。主要的技術，反應離子蝕刻 (RIE)，是用離子(帶電微粒) 轟擊晶片表面來去除材料。針對最微小的特徵結構，原子層蝕刻 (ALE) 可一次去除一些原子層的材料。而導體蝕刻製程可精確形成電晶體這類的關鍵電子元件，介電層蝕刻則可形成保護導電部分的絕緣結構。蝕刻製程還能創建高的柱狀特徵，例如，用在矽穿孔(TSV)中來連接晶片、以及用在微機電系統(MEMS)中。
Lam Research的電漿蝕刻系統可提供形成精確結構所需的高效能、高生產力功能 ─ 無論是高且窄、短且寬、還是僅有幾奈米大小的結構均適用。
電漿蝕刻
產品
DSIE系列產品
DRIE
這些產品能以卓越的製程控制提高各種深矽晶蝕刻應用的生產力。
FLEX系列產品
Atomic Layer Etch (ALE) Reactive Ion Etch
Lam Research的介電層蝕刻系統具備應用導向功能，可用來建構先進元件中的各種高難度結構。
KIYO系列產品
Reactive Ion Etch
Lam Research領先市場的導體蝕刻產品能以高生產力提供形成關鍵導體結構所需的高效能精度與控制。
RELIANT蝕刻產品
DRIE Reactive Ion Etch Reliant Systems
Lam Research的整修與新建 Reliant產品可為導體、介電層與金屬蝕刻應用提供可靠、通過生產驗證的低成本解決方案。
SENSE.I系列產品
Atomic Layer Etch (ALE) Deep Reactive Ion Etch (DRIE) DRIE
採用緊湊、高密度的結構設計，Lam Research突破性的Sense.i™平台具備無與倫比的系統智慧，能以最高生產力實現製程效能。
Syndion 系列產品
DRIE Reactive Ion Etch
對於深蝕刻應用，該產品系列提供了實現關鍵高深寬比結構所需的卓越整片晶圓均勻度控制。
VANTEX系列產品
Reactive Ion Etch
專為Sense.i平台所設計，Vantex透過技術創新和Equipment Intelligence 重新定義了高深寬比蝕刻。
VERSYS METAL 系列產品
Reactive Ion Etch
這些金屬蝕刻產品能以高生產力為電性連接和金屬硬式罩幕應用提供優異的製程控制能力。
選擇性蝕刻産品系列
Selective Etch 選擇性蝕刻
突破性的産品組合可提供埃米等級的精密度和超高選擇性、等向性材料的去除能力，以滿足3D結構和先進邏輯晶片與晶圓製造應用需求。