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VERSYS METAL 系列產品
反應離子蝕刻(RIE)
導線和電性連接是形成積體電路(IC)的重要組成,而金屬蝕刻製程扮演了把這些個別元件連結在一起的重要角色。此製程還能用來蝕穿金屬硬式罩幕(MHM),這種硬式罩幕是用於形成傳統光阻罩幕無法處理的更細微結構,使特徵尺寸得以持續微縮。
為了實現這些關鍵的蝕刻步驟,Lam Research的Versys® Metal 系列產品提供了一個兼具高生產力與製程彈性的平台。針對某些應用,透過我們的Reliant®系統還可選擇一些機型作為整修產品,能以較低的擁有成本提供與新系統相同的品質保證與效能。
針對後段(back-end of line,BEOL)的金屬蝕刻處理製程,半導體製造商正專注於解決各種挑戰,例如,達成側面輪廓再現性(repeatable profile)和關鍵尺寸(CD)的控制,以及維持高產量、低成本的生產。雖然將金屬硬式罩幕整合到後段製程可增加對低介電值(low-k)薄膜的蝕刻選擇比,但是此作法也帶來了新的挑戰,例如需要控制溝槽尺寸和底部導線(bottom line)的粗糙度。因此,為了滿足硬式罩幕和其它BEOL 金屬蝕刻應用的需求,蝕刻技術必須能在不影響生產力的情況下,提供製程調整的彈性。