KIYO系列產品

KIYO系列產品

Products

導體蝕刻技術是用來雕刻半導體元件中的「主動」電性材料。這些微型結構即使有輕微的變異,都會造成電性缺陷而影響元件效能。事實上,由於這些結構非常細微,蝕刻製程的進展正突破物理和化學定律的界限。

Lam Research的Kiyo®系列產品能以高生產力提供精密、穩定形成這些導體結構所需的優異效能。針對某些應用,透過我們的Reliant®系統還可選擇一些機型作為整修產品,能以較低的擁有成本提供與新系統相同的品質保證與效能。


Industry Challenges


隨著半導體產業持續微縮關鍵的結構尺寸並提升元件效能,導體蝕刻製程正面臨了各種挑戰,包括更小的結構,以及晶圓上的新材料和新的電晶體結構。由於結構尺寸的縮小,蝕刻製程不僅需要對每個結構,還需要對整個晶圓都做到原子級的精準控制。此外,元件堆疊中的金屬閘和高介電值(high-k)材料也需要先進的多層薄膜蝕刻能力。先進的晶片設計會同時出現如凹陷通道(recessed channel) 和3D閘極電晶體,以及傳統平面式電晶體的蝕刻結構。此外,可克服20奈米以下節點微影製程限制的雙重和四重曝光(quadruple patterning)技術,也要求蝕刻製程能用來定義並重製晶圓上的圖案。

KEY CUSTOMER BENEFITS


  • 透過對稱式腔體設計、業界領先的靜電吸盤(electrostatic chuck)技術、與獨立的製程調變功能,可實現優異的均勻度和再現性(repeatability)
  • 透過原位(in-situ)蝕刻功能、連續電漿、以及先進的無晶圓自動清洗(Waferless Auto-Clean)技術,可實現高生產力、低缺陷率的多薄膜堆疊
  • 採用可修正輸入圖案變異性的專屬Hydra®技術,能提升關鍵尺寸(CD)的均勻度
  • 透過電漿輔助原子層蝕刻(ALE)技術,能以通過生產驗證的生產量實現原子級的變異性控制
  • 產品可升級,能以低成本跨數個元件世代使用

Product Offerings

  • Versys® Kiyo®
  • Versys® Kiyo45™
  • Kiyo® C 系列
  • Kiyo® E 系列
  • Kiyo® F 系列

KEY APPLICATIONS

  • 淺溝槽隔離
  • 源極(source)/汲極(drain)
  • 高介電值(High-k)/金屬閘極
  • 鰭式場效電晶體(FinFET)和三閘式電晶體(tri-gate)
  • 雙重和四重曝光(quadruple patterning)
  • 3D NAND
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