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CORONUS系列產品
電漿邊緣蝕刻與沉積
CORONUS系列產品
晶邊蝕刻可在製程步驟之間把晶圓邊緣上不要的遮罩(mask)、殘留物和薄膜去除。如果不清洗乾淨，這些物質會成為缺陷的來源。例如，它們會在隨後的製程中剝落，並且再沉積到元件區域。即使只有單一微粒落在元件的關鍵區域上，也可能毀掉整個晶片。在關鍵站點插入晶邊清洗製程，可消除這些可能的缺陷來源並製造出更多良好的晶片。
甚至，晶邊沉積提供了一層保護膜來覆蓋此區域。例如，在3D NAND 等先進記憶體元件中，需要超長時間的蝕刻製程。長時間的製程步驟可能會對晶圓基版造成嚴重損壞，若缺乏這種保護屏障，則晶圓無法量產。在 3D 封裝的晶圓接合製程中，晶邊沉積層可在載體與元件之間提供機械支援，從而防止碎裂、平整薄膜並確保高品質的接合。
透過精確控制並結合可保護有效晶粒區域的靈活電漿技術，Lam Research的Coronus®晶邊蝕刻和沉積系列產品可保護晶圓邊緣，進而提高晶粒良率。
行业挑战
晶片製造商越來越關注於縮小晶圓邊緣排除(edge exclusion)區域，作為增加晶圓周邊良好晶粒的重要策略，使晶邊清洗工程成為開發團隊的重要考量。晶圓邊緣的機械磨損或薄膜堆疊層的應力，可能會造成薄膜剝離並再沉積到晶圓的表面上，因而影響良率。對於浸潤式(immersion)微影技術，邊緣完整性(integrity)至關重要，因為邊緣上的缺陷會蔓延到整個晶圓，而導致良率偏差(yield excursion)。為了解決這些問題，晶邊區域的清洗或沉積步驟有助於避免晶圓邊緣區域成為影響良率的缺陷來源。
主要客户利益
- 透過選擇性地去除晶圓邊緣不要的材質，可有效提升良率
- 利用專有的電漿隔離(plasma confinement)技術來保護有效晶粒區域
- 原位(In situ)移除多重材料的薄膜堆疊層與殘留物，可以確保高生產力
- 業界唯一可清除α-碳膜和高含碳量殘留物的晶邊清洗產品
- 金屬膜去除可防止後續的電漿蝕刻製程產生電弧(arcing)
- 消除邊緣碎裂和輪廓塌邊等晶圓接合問題
- 防止在長時間的濕式刻蝕過程中對晶圓基版的邊緣造成損壞
產品
- Coronus®
- Coronus® HP
- Coronus® DX
主要应用
- 淺溝槽隔離(STI)、閘極、中段 (MOL)、以及後段(back-of-line)製程的蝕刻後處理製程(post-etch)
- 沉積前和沉積後處理製程(pre- and post-deposition)
- 微影前(pre-lithography)處理製程
- 金屬膜去除
- 晶圓接合的間隙填充
- 濕式和乾式刻蝕的晶圓邊緣保護