CORONUS产品系列
Products
晶圆边缘刻蚀用于半导体制程各道工序之间，可清除晶圆边缘无用的掩膜、残留物和薄膜。如果不清洗，这些材料就会成为缺陷源。例如，它们可能会剥落并在随后的工艺流程中重新沉积在器件区域。如果有颗粒落在器件关键部位，即使只有一个，也可能毁掉整块芯片。通过在关键工艺位节点插入晶圆边缘清洗工艺，可以消除这些潜在的缺陷源，从而产出更多合格芯片。
或者，由晶圆边缘沉积提供一层保护膜来覆盖此区域。例如，在诸如 3DNAND 等先进存储器器件中，需要超长时间的刻蚀工艺。这些长时间的工艺步骤可能会对晶圆边缘衬底造成严重损坏，以至于如果没有这种保护屏障，晶圆根本就不会产出。在 3D 封装的晶圆键合中，这一晶圆边缘沉积层在载体与器件之间提供机械支持，从而防止崩裂、平整薄膜并确保高品质的键合。
泛林集团的 Coronus® 晶圆边缘刻蚀和沉积系列产品具备等离子工艺的精确控制和灵活性，可以和其它有效芯片区域保护技术一起用于保护晶圆边缘以提高芯片良率。
Industry Challenges
芯片制造商越来越注重减少边缘损耗，以此作为增加晶圆边缘有效芯片数量的重要策略，因而晶圆边缘工程成为开发团队的首要工作。晶圆边缘薄膜叠层的机械磨损或应力可能导致薄膜分层，随后重新沉积在晶圆正面，因而影响良率。在浸入式光刻技术中，边缘存在的缺陷会被带到晶圆关键区域，导致良率下降，因此晶圆边缘完整性至关重要。晶圆边缘区域清洗或沉积步骤有助于消除晶圆边缘的良率限制因素，解决上述问题。
Key Customer Benefits
- 选择性地移除晶圆边缘的无用材料，提高良率
- 运用专利的等离子处理技术，保护有效芯片的区域
- 同步 清除多种材料的薄膜叠层和残留物，确保高生产效率
- 行业内唯一能清除非晶碳薄膜和富碳残留物的边缘清洗产品
- 去除金属膜，防止在后续的等离子刻蚀或沉积步骤中形成电弧
- 消除了边缘崩裂和轮廓滚降等晶圆键合问题
- 防止在长时间的湿法刻蚀过程中对晶圆边缘的衬底造成损坏
Product Offerings
- Coronus®
- Coronus® HP
- Coronus® DX
Key Applications
- 浅沟槽隔离 （STI）、栅极、中段制程（MOL） 和后段制程（BEOL） 刻蚀工艺后
- 薄膜沉积前后
- 光刻前
- 清除金属薄膜
- 晶圆键合流程中晶圆间间隙填充
- 湿法和干法刻蚀时对晶圆边缘的保护