在人工智能和边缘计算的竞争中，半导体行业面临着前所未有的挑战： 制造具有极小特征的芯片，同时确保每个微观组件都准确地落在其应在的位置。
行业实现这些创新的能力取决于我们在越来越小的节点上大批量生产芯片的能力。
这一挑战在图案化过程中表现得尤为突出——这是将微观电路设计转移到硅晶圆上的关键阶段。
革命性的方法实现先进图形化
Aether 是我们突破性的干膜光刻胶技术，从根本上重新构想了采用干法处理的光刻胶工艺，打破了在晶圆上印制微观电路设计的几个关键权衡。
凭借这种纯净的真空方法，Aether 扩展了单次印刷图形化。 这可降低创建下一代芯片所需的复杂图形的成本和复杂性。
此外，该技术的金属有机化合物在极紫外 (EUV) 光刻过程中吸收的光比传统碳基光刻胶材料多三到五倍，从而可大幅降低成本并提高性能。
特点 + 优势
- 增强的光子吸收和精确图形化功能使制造商能够在先进节点上保持单次印刷图形化。
- 形成鲜明对比的是，双重图形化的成本是单次印制图形化的 1.5-2 倍。
- 通过减少工艺步骤并提高单次印制图形的保真度，Aether 可简化生产流程，从而提高良率。
- 更高的精度可创建更密集、更快的存储器阵列，从而满足 AI 对数据日益增长的需求。
- 大幅减少化学品的使用量，创造出更环保的解决方案。
泛林集团的干膜光刻胶技术代表了我们对如何创建现代化计算基石所作的重新思考。 Aether 与泛林集团可实现 EUV 图形化的先进图形化解决方案设备相结合，能够以行业最低的成本实现图形化，从而最终突破物理学的界限并实现 AI 的未来。
额外资源
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Breakthrough EUV Dry Photoresist Technology from Lam Research Adopted by Leading Memory Manufacturer