形成原子级精度的构件
刻蚀工艺通过选择性地移除沉积过程中添加的介电（绝缘）材料和金属（导电）材料，协助形成芯片构件。这些工艺涉及使用多种材料制造越来越小、越来越复杂的高窄形构件。采用的主要技术为反应离子刻蚀（RIE），该技术用离子（带电粒子）轰击硅片表面，以移除相应的材料。对于最微小的构件，原子层刻蚀（ALE）可以一次移除数层原子层。导体刻蚀工艺精确地形成晶体管等重要电气组件，介电质刻蚀工艺则形成保护导电部分的绝缘结构。利用刻蚀工艺还可形成高柱状构件，如硅通孔（用于连接芯片）和微机电系统（MEMS）中所用构件。
无论高窄、短宽或是只有几纳米大小，泛林集团等离子刻蚀系统都可以为形成这些精确结构提供必要的高性能和高生产力。
刻蚀
我们的产品
DSiE Product Family
DRIE
这些产品为若干关键和非关键深硅刻蚀应用提供了高生产率的特殊工艺控制。
FLEX产品系列
Atomic Layer Etch (ALE) Reactive Ion Etch
Lam的介电刻蚀设备能够刻蚀各种具有挑战性的结构，以应用在先进器件上。
KIYO产品系列
Reactive Ion Etch
Lam市场领先的导体刻蚀产品能够为关键器件在保障高生产率的前提下提供所需的高精度和控制。
RELIANT刻蚀产品
DRIE Reactive Ion Etch Reliant Systems
Lam的翻新和全新Reliant产品可提供可靠的、经生产验证的解决方案，客户以低成本即可拥有导体，介电质和金属刻蚀应用。
SENSE.I产品系列
Atomic Layer Etch (ALE) Deep Reactive Ion Etch (DRIE) DRIE
泛林集团最新推出的刻蚀产品系列，以其既小巧又高精度的架构打造了独一无二的的智能系统，以提供超高产率的处理性能。
Syndion 产品系列
DRIE Reactive Ion Etch
对于深刻蚀应用，此产品系列提供了关键高纵横比特征所需的卓越的跨晶片均匀性控制。
Vantex产品系列
Reactive Ion Etch
Vantex专为Sense.i平台设计，通过技术和Equipment Intelligence（设备智能）的创新，重新定义高深宽比刻蚀。
VERSYS METAL产品系列
Reactive Ion Etch
这些金属刻蚀产品为电互连和金属硬掩模应用提供了高生产率的极佳工艺控制。
选择性刻蚀产品系列
Selective Etch 选择性刻蚀
突破性产品组合以埃米级精度和超高选择性为 3D 架构和先进逻辑和晶圆代工应用提供各向同性的材料去除。