去胶和清洗

提供完全洁净的表面

在各个制造步骤之间,需要采用去胶和清洗工艺,清除后期可能导致缺陷的无用材料,使硅片表面做好后续加工准备。光刻胶去胶工艺在离子植入或刻蚀之后,清除光刻薄膜和残余物。为了清除颗粒、污染物、残余物和其他无用材料,必须在整个制造过程中插入硅片清洗步骤。湿法加工技术可用于硅片清洗、去胶和刻蚀应用。等离子斜面清洗通过从硅片边缘清除可能会影响器件面积的无用材料,提高芯片成品率。

泛林集团去胶技术可选择性地清除残余的光刻胶,工艺灵活性高,适用于多种应用,而针对要求最严苛的清洗步骤,我们具有高生产力的清洗产品可提供从中心到边缘均干净的表面。



去胶和清洗

我们的产品

CORONUS产品系列

Plasma Bevel Clean

这些斜面清洁系统从晶片边缘去除不需要的材料,同时保护有效区域以提高芯片成品率。

DV-PRIME和DA VINCI产品

Spin Wet Clean

这些产品提供了所需的工艺灵活性和高生产率,以解决整个制造过程中的多个晶片清洗步骤。

EOS产品系列

在越来越严苛的应用需求下,Lam的先进湿清洗产品能够在确保高产量的前提下实现极低的晶片缺陷率。

GAMMA Product Family

Dry Strip

这些产品提供了去除各类关键步骤的光刻胶所需的工艺灵活性。

RELIANT清洗产品

Reliant Systems Spin Wet Clean

Lam的翻新和全新Reliant产品可提供可靠的、经生产验证的解决方案,客户以低成本即可拥有一系列晶圆正面、背面和边缘清洗设备。

SP系列产品

Spin Wet Clean

这些经过验证的产品系列可提供可靠的、成本效益高的湿清洗/湿刻蚀解决方案,可温和地去除晶片上不需要的材料。

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