存储单元——存储电子数据的芯片组件——包括短时易失性（如DRAM）和长期非易失性（如闪存）两个存储类型。DRAM是主要的“工作”（活跃）存储器，闪存则用于以紧凑的方式存储大量数据。为了增加器件密度以提高存储容量，DRAM构件继续缩小，而NAND闪存已经转向3D架构，这些给加工工艺带来了更多的挑战。例如，3D NAND中的多个层次很容易受到应力的影响，高深宽比通道中的任何瑕疵都可能会造成短路和干扰。对于填补有源器件与存储类器件之间空白的新型存储器，由于采用难以加工的新型材料，其生产也是困难重重。因此，需要极佳的工艺控制能力、灵活性和生产力。
先进存储器
我们的解决方案
ALTUS产品系列
Atomic Layer Deposition (ALD) Chemical Vapor Deposition (CVD)
结合CVD和ALD技术，这些市场领先的系统为先进的钨金属化应用沉积高度共形的金属膜。
CORONUS产品系列
Plasma Bevel Clean
这些斜面清洁系统从晶片边缘去除不需要的材料，同时保护有效区域以提高芯片成品率。
EOS产品系列
在越来越严苛的应用需求下，Lam的先进湿清洗产品能够在确保高产量的前提下实现极低的晶片缺陷率。
FLEX产品系列
Atomic Layer Etch (ALE) Reactive Ion Etch
Lam的介电刻蚀设备能够刻蚀各种具有挑战性的结构，以应用在先进器件上。
GAMMA Product Family
Dry Strip
这些产品提供了去除各类关键步骤的光刻胶所需的工艺灵活性。
KIYO产品系列
Reactive Ion Etch
Lam市场领先的导体刻蚀产品能够为关键器件在保障高生产率的前提下提供所需的高精度和控制。
METRYX产品系列
Mass Metrology
Lam的质量计量系统为先进的工艺监测和三维设备结构控制提供了微克级别的测量能力。
RELIANT刻蚀产品
DRIE Reactive Ion Etch Reliant Systems
Lam的翻新和全新Reliant产品可提供可靠的、经生产验证的解决方案，客户以低成本即可拥有导体，介电质和金属刻蚀应用。
RELIANT沉积产品
Chemical Vapor Deposition (CVD) High-Density Plasma Chemical Vapor Deposition (HDP-CVD) Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) Reliant Systems
Lam的翻新和全新Reliant产品可提供可靠的、经生产验证的解决方案，客户以低成本即可拥有介电质薄膜应用。
SABRE产品系列
Electrochemical Deposition (ECD)
该产品系列广泛应用于大马士革工艺上，提供精密的金属铜电镀。
SENSE.I产品系列
Atomic Layer Etch (ALE) Deep Reactive Ion Etch (DRIE) DRIE
泛林集团最新推出的刻蚀产品系列，以其既小巧又高精度的架构打造了独一无二的的智能系统，以提供超高产率的处理性能。
SPEED产品系列
High-Density Plasma Chemical Vapor Deposition (HDP-CVD)
这些介电质沉积产品提供高深宽比空间的完全间隙填充，具有行业领先的产量和可靠性。
STRIKER产品系列
Atomic Layer Deposition (ALD)
使用先进的ALD技术，这些产品提供纳米级尺寸下器件关键工艺所需的介电薄膜。
Vantex产品系列
Reactive Ion Etch
Vantex专为Sense.i平台设计，通过技术和Equipment Intelligence（设备智能）的创新，重新定义高深宽比刻蚀。
VECTOR产品系列
Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)
Lam的PECVD产品系列为广泛的器件应用提供了高生产率的精密介电薄膜沉积。
VERSYS METAL产品系列
Reactive Ion Etch
这些金属刻蚀产品为电互连和金属硬掩模应用提供了高生产率的极佳工艺控制。
选择性刻蚀产品系列
Selective Etch 选择性刻蚀
突破性产品组合以埃米级精度和超高选择性为 3D 架构和先进逻辑和晶圆代工应用提供各向同性的材料去除。