METRYX产品系列
Products
Mass Metrology
Advanced Memory, Analog & Mixed Signal, Discrete & Power Devices, Interconnect, Packaging, Patterning, Sensors & Transducers, Transistor
在线工艺监控技术用于实时发现硅片生产中的趋势和偏差，以便快速进行纠正，防止成品率进一步下滑。对于沉积、刻蚀和清洗步骤，在工艺前后测量硅片质量变化是一种简单、直接的工艺结果监控手段；对新型芯片设计使用的超薄膜、超厚膜和复杂3D尺寸来说尤其如此，因为在这些应用中，传统光学计量技术不起作用。
泛林集团的Metryx® 质量计量系统提供平台集成模块和独立系统两种选择，可为三维器件结构先进工艺监控带来亚毫克级的质量测量能力。
Industry Challenges
随着器件三维复杂性的不断提高，传统的光学计量技术常常无法严密控制刻蚀、沉积和清洗工艺。例如，自上而下的光学信号可能无法触及高深宽比 (HAR) 结构的底部。类似地，某些厚膜的透明度通常很差，无法精确测量其厚度； 而侧向工艺步骤发生在结构的很深入部分，以至于不可视。许多几何尺寸已经变得非常复杂，光学临界尺寸 (OCD) 模型的拟合需要投入大量资源，开发和验证周期也很长。另外，要满足刻蚀应用的严苛要求，往往需要能实时发现导致同批差异和批次间差异的根源。因此，芯片制造商需要另一种监控工艺结果的方法，以经济高效的方式解决光学技术的局限性。
Key Customer Benefits
- 低持有成本，高产率在线工艺监控
- 测量简单，物理意义明显 (硅片质量和质量变化)
- 具有亚纳米级薄膜检测功能，灵敏度高
- 随着器件复杂性和深宽比的增加，灵敏度进一步提升
- 在光学计量无效时，为3D/隐藏式结构提供工艺控制能力
- 采用独立系统配置，为多种应用和可变采样策略带来最大的灵活性
- 采用平台集成配置，可实时控制每块硅片并降低采样成本
Product Offerings
- Metryx® Metior® SRM™
- Metryx® SRMi™
Key Applications
- 高深宽比刻蚀——DRAM单元、3D NAND通道孔
- 保角和原子层沉积/侧壁沉积
- 水平工艺——凹陷刻蚀、填充
- 膜密度监控
- 碳掩膜开口
- 硅片清洗/聚合物移除