METRYX系列產品

METRYX系列產品

Products

生產線上製程監控可用來確認生產晶圓趨勢以及是否發生偏差,因此能快速實施修正作業,預防進一步的良率損失。對沉積、蝕刻和清洗步驟來說,測量某一製程前、後晶圓質量的改變是簡單、且可直接監控製程結果的方法,這對超薄膜、超厚膜,以及新型晶片設計的複雜 3D 幾何結構特別有用,因為傳統的光學測量技術無法取得良好效果。

Lam Research的Metryx® 質量測量系統,有平台整合式模組和獨立系統兩種形式,可為3D 元件結構的先進製程監控提供次毫克級(sub-milligram)的質量測量能力。


Industry Challenges


隨著元件演變成更複雜的3D結構,傳統的光學測量技術常發生無法維持對蝕刻、沉積和清洗製程嚴格的控制。例如,由上至下的光學訊號,往往看不到高深寬比(HAR) 結構的底部。同樣的,有些厚膜通常是不透光的,因此無法進行精密的厚度測量,而橫向的製程步驟也因為過於深入結構,導致視覺不彰。現在許多幾何結構都很複雜,因此建立光學關鍵尺寸 (OCD) 模型需要大量的投資、長期的開發以及驗證時間。此外,若要符合蝕刻應用的嚴謹要求,通常需要即時方法,以解決單批晶圓以及批與批晶圓之間的變異性來源。因此,晶片製造商需要另一種具成本效益、並且能突破光學技術限制的方式來監控製程結果。

KEY CUSTOMER BENEFITS


  • 低擁有成本,高生產量的線上製程監控
  • 以清楚的物理意義進行簡單測量,如晶圓質量和質量改變
  • 高靈敏度,具備次奈米級(sub-nanometer)薄膜偵測功能
  • 靈敏度會隨著元件複雜度和深寬比的增加而提升
  • 3D/隱藏結構的製程控制,以補光學測量之不足
  • 獨立系統配置可提供最大的靈活性對應各種不同的應用,並可實現不同的採樣策略
  • 平台整合式配置,可達成每片晶圓的即時控制及低成本採樣

Product Offerings

  • Metryx® Metior® SRM™
  • Metryx® SRMi™

KEY APPLICATIONS

  • 高深寬比(HAR)蝕刻-DRAM儲存單元、3D NAND通道孔洞
  • 一致性(conformal)和ALD/側壁沉積
  • 橫向製程-凹槽蝕刻(recess etch)、填充
  • 薄膜密度監測
  • 碳罩幕開口(Carbon mask open)
  • 晶圓清洗/聚合物去除
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