低温刻蚀

当今的数据密集型 AI 应用需要在存储器技术方面取得重大进步，尤其是在 NAND 闪存方面，包括更快的数据传输速度。计算需求的激增导致处理存储器系统内数据传输的功耗增加。芯片制造商需要从 200 层及更多 3D NAND 进行扩展，以满足每比特成本降低的要求，同时减少对环境的影响。

通过低温刻蚀技术可使用新颖的化学品来提供实现更高深宽比的刻蚀功能。低温技术可提高刻蚀速率、提供垂直高深宽比轮廓，以及减少刻蚀工艺对环境的影响。

通过使用专有的独特技术，泛林集团已凭借以下方面逐渐完善了通孔刻蚀技术：

低温高纵横比刻蚀： 均匀的深刻蚀可实现每单元更多位数
字线间距缩小： 更薄的氧化物/氮化物沉积层可实现每个器件的更多位数 VECTOR® PECVD（高生产率氧化物间隙填充）和 ALTUS® W（低应力 HAR 钨填充）
先进的字线金属化： 更低电阻的金属可实现更薄的连接和更快的器件。 VECTOR® Strata®（低应力均匀控制氧化物/氮化硅层）、Kiyo®、Halo（HAR 特征中的无空隙钼填充）
晶圆应力管理： 背面沉积可控制晶圆弯曲并构建更高的器件。 Coronus® DX（高选择性斜面沉积）、VECTOR® DT（用于晶圆弯曲补偿的均匀背面）和 EOS®（高生产率背面刻蚀）

凭借这些技术，泛林集团已使我们的客户能够实现近乎完美的存储器孔刻蚀轮廓，同时具有高吞吐量且对环境影响更小。