Cryogenic Etching - Lam Research
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극저온 식각

오늘날의 데이터 집약적 AI 애플리케이션에는 더 빠른 데이터 전송 속도를 비롯하여 메모리 기술, 특히 NAND 플래시 메모리의 큰 기술 발전이 요구됩니다. 데이터 처리 요구가 급증하여 메모리 시스템 내에서 데이터 전송을 처리하기 위해 전력 소비가 증가하게 됩니다. 칩 제조사들은 환경 영향을 줄이면서 비트당 비용 절감을 하기 위해 200단 이상의 3D NAND에서 더 확장을 해야 합니다.

극저온 식각 기술을 통해 이전에는 구현할 수 없었던 새로운 화학 반응을 이용하여 고종횡비 식각 성능을 얻을 수 있습니다. 극저온 기술을 이용하면 식각률이 향상되고 수직 종횡비가 높아지며, 식각 공정이 환경에 미치는 영향이 줄어듭니다.

Lam은 독점적인 고유 기술을 이용하여 다음과 같은 특징을 가진 채널 홀 식각을 완벽하게 구현했습니다.

  • 극저온 고종횡비 식각: 식각 깊이가 균일하여 셀당 더 많은 비트를 저장할 수 있습니다
  • 워드라인 피치 스케일링:  벡터 고생산성 산화물 갭 필(VECTOR® PECVD)과 알투스 W(ALTUS® W)(응력이 낮은 HAR 텅스텐 필) 같은 기술로 산화물/질화물 증착층이 더 얇아져서 소자당 더 많은 비트를 저장할 수 있습니다.
  • 고성능 워드라인 경화:  낮은 저항의 금속으로 연결 부위가 더 얇아지고 소자 속도가 더 빨라집니다. 벡터 스트라타(VECTOR® Strata®)(응력이 낮고, 균일한 산화물/질화물 층 제어), 키요(Kiyo®), 헤일로(Halo)(HAR 특성에 기포가 없는 몰리브덴 필)
  • 웨이퍼 스트레스 관리:  후면 증착으로 웨이퍼 휨을 제어하고 소자 높이를 더 높일 수 있습니다. 코로너스 DX(Coronus® DX)(고선택비 베벨 박막 증착), 벡터 DT(VECTOR® DT)(웨이퍼 휨 보상을 위한 균일한 후면 박막) 및 이오스(EOS®)(고생산성 후면 박막 식각)

Lam의 이러한 기술을 이용하여 당사의 고객사는 처리량이 높고 환경 영향이 낮은 완벽에 가까운 메모리 홀 식각 프로파일을 얻을 수 있었습니다.

Lam 크라이오(Cryo™) 3.0소개

Lam 크라이오(Cryo™) 3.0은 혁신적인 정밀도와 프로파일 제어가 가능하고 더 높은 종횡비 성능을 제공합니다. 표면 화학 처리, 플라즈마 물리학, 공정 설계에 있어서 혁신 기술을 활용한 Lam의 크라이오(Cryo™) 3.0은 향후 400단 이상의 3D NAND 소자 제조에 최적화되어 있습니다.

Lam 크라이오(Cryo™) 3.0은 플렉스(Flex®) 및 밴텍스(Vantex®)와 호환 가능하며, 이는 모든 주요 메모리 제조사가 3D NAND 소자 양산에서 대단히 중요한 채널 홀 식각에 사용하는 기술입니다. 기존의 기반과 향후 설치되는 기반에 Lam 크라이오(Cryo™) 3.0 성능을 더하면 고객사들이 뛰어난 성능과 생산성을 갖추게 되어 장비 투자의 효율을 극대화할 수 있습니다.

극저온 식각과 발전하는 3D 혁신에 대해 더 자세히 알아보세요.

1,000단 3D NAND로 가는 과정

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극저온 식각

관련 제품

Lam의 극저온 유전체 식각 기술은 센스아이(Sense.i®) 플랫폼에서 Lam의 인기 제품인 플렉스(Flex®) 유전체 식각 기술 및 밴텍스(Vantex®) 반응성 이온 식각 시스템과 호환이 가능하기 때문에 고객들은 기존의 인프라에 더 쉽게 투자를 활용하고 확장할 수 있습니다.

FLEX 제품군

Atomic Layer Etch (ALE) Reactive Ion Etch (RIE) 극저온 식각

램리서치의 유전체 식각 시스템은 용도에 맞춘 기능 덕분에 고급 소자의 까다로운 구조를 다양하게 만들 수 있습니다.

VANTEX 제품군

Reactive Ion Etch (RIE) 극저온 식각

Sense.i 플랫폼용으로 설계한 Vantex는 기술 혁신과 Equipment Intelligence로 고종횡비 식각을 새롭게 정의합니다.

추가 자료

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