극저온 식각

오늘날 데이터 집약적인 AI 응용 분야에서는 메모리 기술, 특히 NAND 플래시 메모리의 더 빠른 데이터 전송 속도를 포함해 메모리 기술의 상당한 발전을 필수적으로 요구합니다. 컴퓨팅 수요의 증가는 메모리 시스템 내 데이터 전송을 처리하기 위한 전력 소비 증가로 이어집니다. 반도체 제조업체는 비용 절감을 위해 200층 이상의 3D NAND로 확장하는 것과 동시에 환경적 영향을 최소화해야 합니다.

저온 극저온 식각은 새로운 화학물질을 활용하여 더 높은 종횡비의 식각을 가능하게 합니다. 극저온 식각 공정은 식각 속도를 향상하고, 종횡비가 높은 수직 프로파일을 제공하며 식각 공정이 환경에 미치는 영향을 줄여줍니다.

램리서치는 독자적인 기술 및 차별화된 공정 솔루션을 활용하여 채널 홀(channel hole) 식각 기술을 지속적으로 발전시켜 왔습니다.

극저온 고종횡비 식각: 균일한 깊이의 식각으로 셀당 비트 수 증가
워드라인 피치 배율: 더욱 얇은 산화물/질화물 증착층을 통해 소자당 저장 가능한 비트 수를 늘리고 VECTOR® PECVD(높은 처리량의 산화물 갭 필링) 및 ALTUS® W(저응력 고종횡비 텅스텐 필링)에 적용합니다
고급 워드라인 금속화: 저항이 낮은 금속을 사용해 워드라인 연결부를 더욱 얇게 형성하고 소자의 속도를 향상합니다. Vector® Strata®(낮은 응력으로 균일한 산화물/질화물 증착 제어), Kiyo®, Halo(고종횡비(HAR) 구조에서 기공 없는 몰리브덴(Mo) 필링)
웨이퍼 응력 관리: 후면 증착을 통해 웨이퍼의 굽힘을 제어하고 더 높은 집적도의 소자 제조가 가능합니다. Coronus® DX(고선택성 베벨 박막 증착), Vector® DT(웨이퍼 굽힘 보정을 위한 균일한 후면 박막) 및 EOS®(높은 처리량의 후면 박막 식각)

이러한 기술을 통해 램리서치는 고객들이 높은 처리량과 낮은 환경 영향을 유지하며 거의 완벽에 가까운 메모리 홀 식각 프로파일 구현을 지원할 수 있게 되었습니다.

Lam Cryo™ 3.0 소개

Lam Cryo™ 3.0은 획기적인 정밀도와 프로파일 제어를 통해 더 높은 종횡비 구조를 구현합니다. 램리서치의 Cryo™ 3.0은 표면 화학, 플라즈마 물리학 및 공정 설계의 혁신을 활용하여 400층 이상의 차세대 3D NAND 소자를 제조하는 데 최적화되었습니다.

Cryo™ 3.0은 업계 선두의 메모리 제조업체가 대량 3D NAND 생산 시 소자의 핵심인 채널 홀 식각에 사용하는 Flex® 및 Vantex® 시스템과 호환됩니다. 기존 및 향후 설치 기반에 Cryo™ 3.0 기능을 추가함으로써 고객은 탁월한 성능과 생산성으로 장비 투자 가치를 극대화할 수 있습니다.

극저온 식각 및 진화하는 3D 혁신에 대해 자세히 알아보십시오.