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FLEX产品系列
原子层刻蚀反应离子刻蚀（RIE）深冷刻蚀
FLEX产品系列
介电质刻蚀技术用于在绝缘材料上雕刻图案，以便在半导体器件导电部分之间形成阻挡膜。对于先进器件，这些结构可能极高、极薄，并且涉及复杂、敏感的材料。目标构件轮廓的微小偏差——即使是原子级的偏差——也会对器件的电气性能造成负面影响。
为了精确制造出这些极具挑战性的结构，泛林集团Flex® 产品系列提供多种差异化技术和以应用为核心的功能，适用于关键介电质刻蚀应用。针对某些应用，我们的Reliant® 翻新产品系列已经推出一些特定型号，以更低的持有成本提供与新系统相同的质量保证和性能。
行业挑战
鉴于新材料的引入、复杂的新集成方案和先进技术节点的微缩，介电质刻蚀面临众多挑战。这些新材料和集成方案需要刻蚀多层薄膜叠层的能力，并且通常必须在不同薄膜之间进行选择性刻蚀。芯片制造商希望降低硅片的单位成本，因而越来越注重原位刻蚀多层 薄膜的能力。微缩方面的挑战包括在深宽比越来越高的条件下形成最佳刻蚀轮廓（存储单元电容结构和接触孔尤其如此），同时还要满足大批量生产的可重复尺寸控制要求。在逻辑器件中，互连微缩推动着各种低k材料高选择性刻蚀的发展，而且不能增加介电薄膜的k值或对器件性能造成不利影响。
主要客户利益
- 独一无二的多频小容量约束等离子设计带来出色的均一性、可重复性和 可调性
- 利用原位多步刻蚀和连续等离子功能实现高产率和低缺陷率
- 经济高效的低风险升级方案，延长产品使用寿命，使投资回报最大化
- 基于泛林集团先进混合模式脉冲（AMMP™）技术的超高选择性等离子增强原子层刻蚀（ALE）工艺
产品
- Exelan® Flex®
- Exelan® Flex45™
- Flex® D 系列
- Flex® E 系列
- Flex® F 系列
- Flex® G 系列
主要应用
- 低k和超低k双重大马士革制造
- 自对准 接触孔
- 电容单元
- 掩膜蚀刻
- 3D NAND高深宽比孔洞、沟槽、接触孔