FLEX PRODUKTFAMILIE
Products
Atomic Layer Etch (ALE) Reaktive Ionenätzung (RIE)
Advanced Packaging, Analoge und gemischte Signale, Diskrete & Leistungsbauelemente, Erweiterter Speicher, Interconnect, Optoelektronik und Photonik, Strukturierung, Transistor
Dielektrisches Ätzen arbeitet Muster in isolierende Materialen ein und schafft damit Trennwände zwischen den elektrisch leitenden Teilen von Halbleiterbauelementen. Bei modernen Bauteilen sind diese Strukturen oftmals äußerst hoch und dünn und werden aus komplexen, empfindlichen Materialien hergestellt. Kleinste Abweichungen vom Zielprofil der Strukturen – sogar auf atomarer Ebene – können negative Auswirkungen auf die elektrischen Eigenschaften des Bauteils haben.
Um diese herausfordernden Strukturen genauestens herstellen zu können, bietet Lams Flex®-Produktfamilie differenzierte Technologien und auf Anwendung konzentrierte Möglichkeiten für kritische dielektrische Ätzverfahren. Für manche Anwendungen sind über unsere Reliant®-Systeme auch ausgewählte Modelle als generalüberholte Anlagen verfügbar und bieten niedrigere Betriebskosten mit der gleichen Qualität und Leistung wie neue Systeme.
Industry Challenges
Aufgrund neuer Materialien, komplexer neuer Integrationsverfahren und der fortschreitenden Miniaturisierung der Bauelemente steht das dielektrische Ätzen neuen Anforderungen gegenüber. Die neuen Werkstoffe und Integrationsprozesse setzen voraus, das mehrschichtige Film-Stacks geätzt werden können, oftmals mit extremer Selektivität von einer Beschichtung zur nächsten. Der Wunsch der Chiphersteller, die Gesamtkosten pro Wafer zu senken, legt den Schwerpunkt immer mehr auf die Fähigkeit, mehrfache Beschichtungen an Ort und Stelle zu ätzen. Die immer kleiner werdenden Strukturbreiten erfordern unter anderem optimal geätzte Profile mit ständig höheren Querschnittverhältnissen, insbesondere für Kondensatoraufbauten für Speicherzellen und Kontakte, und gleichzeitig die zuverlässige Wiederholbarkeit in der Großserienproduktion. Für Logikbauteile wiederum treibt die Skalierung im Bereich der Interconnects das hoch selektive Ätzen von mehreren Low-k-Materialien an, ohne die k-Wert der dielektrischen Beschichtung zu erhöhen oder die Leistung des Bauteils negativ zu beeinträchtigen.
Key Customer Benefits
- Außergewöhnliche Gleichförmigkeit, Wiederholbarkeit und Steuerbarkeit durch ein einzigartiges multifrequentes, gering-volumiges Plasma
- Hohe Produktivität mit niedriger Defektivität durch Mehrfachschrittätzen vor Ort und beständiger Plasmaleistung
- Kosteneffektive Aufrüstungen mit niedrigem Risiko, die die Lebenszeit der Systeme verbessern und die Anlagenrendite maximieren
- Ultra-selektives, plasma-unterstütztes Atomschichtätzen (ALE) mit Lams „Advanced Mixed Mode Pulsing“-Technologie (AMMP™)
Product Offerings
- Exelan® Flex®
- Exelan® Flex45™
- Flex® D Series
- Flex® E Series
- Flex® F Series
- Flex® G Series
Key Applications
- Low-k- und Ultra-Low-k-Zweifachdamaszieren
- Selbst anpassende Verbindungen
- Kondensatorzellen
- Mask open
- 3 D NAND Löcher, Gräben und Verbindungen mit hohem Querschnittverhältnis