FLEX系列產品
Products
介電層蝕刻是用來雕刻半導體元件中絕緣材料的圖案，以在元件的導電部位之間建立阻障(barrier)。在先進的電子元件中，這些結構通常極高且窄，並會包含複雜、敏感的材料。特徵結構的形狀若與目標值有細微偏差 ─ 即使是原子等級 ─ 也會對元件的電氣特性造成負面影響。
為了精確形成高難度的特徵結構，Lam Research的Flex®系列產品可為關鍵的蝕刻製程應用提供具差異化的技術以及應用導向的功能。針對某些應用，透過我們的Reliant®系統還可選擇一些機型作為整修產品，能以較低的擁有成本提供與新系統相同的品質保證與效能。
Industry Challenges
由於先進製程節點導入了新的材料、複雜且新穎的整合技術、以及尺寸的持續微縮，介電層蝕刻技術正面臨了多重挑戰。這些新材料和整合技術需要蝕刻多層薄膜堆疊的能力，而且往往薄膜之間的選擇性極大。晶片製造商為了降低單位晶圓的總成本，越來越強調原位(in-situ)蝕刻多層薄膜的能力。尺寸微縮的挑戰包括，需能夠產生深寬比日益增加的最佳蝕刻輪廓，特別是對記憶體儲存單元中的電容結構和接點(contact)，同時還要能為大量生產提供再現性高的尺寸控制。對邏輯元件來說，互連結構的尺寸微縮推升了各種低介電值(low-k )材料的高選擇性蝕刻，但又不能增加介電層薄膜的介電值或對元件效能帶來負面影響。
Key Customer Benefits
- 透過獨特的多頻及小量的電漿隔離設計，可實現優異的均勻度、再現性和調變性
- 透過原位(in-situ)多步驟蝕刻製程以及連續電漿功能，實現高生產力與低缺陷率
- 低風險、具成本效益的升級方案，可延長產品的使用壽命，並最大化投資回報
- 利用Lam的先進混合模式脈衝(Advanced Mixed Mode Pulsing，AMMP™)技術，實現超高選擇性的電漿輔助原子層蝕刻(ALE)製程
Product Offerings
- Exelan® Flex®
- Exelan® Flex45™
- Flex® D 系列
- Flex® E 系列
- Flex® F 系列
- Flex® G 系列
Key Applications
- 低介電值(Low-k)和超低介電值雙鑲嵌(dual damascene)技術
- 自我對準接點 (self-aligned contact)
- 電容儲存單元(capacitor cell)
- 罩幕開口(Mask open)
- 3D NAND的高深寬比孔洞(hole)、溝槽與接點