FLEX シリーズ製品
Products
Atomic Layer Etch (ALE) リアクティブ・イオンエッチング（RIE）
高度なパッケージング, アナログ・ミックスドシグナル, インターコネクト, オプトエレクトロニクス・フォトニクス, ディスクリート・パワーデバイス, トランジスタ, パターニング, 高度なメモリ
絶縁膜エッチングは誘電体を削って半導体デバイスの電気配線間を隔てるバリア層を形成する工程です。最先端のデバイスではこれらのパターンは極めて開口が狭くて細長い上に、脆弱な複合材料が使用されます。加工後の形状が設計寸法から原子数個分外れただけでもデバイスの電気特性を損ないかねないのです。
こうした厳しい加工を正確に仕上げるラムリサーチのFlex® シリーズは 、重要絶縁膜エッチ工程のために差別化された技術とアプリケーションを提供します。用途によっては当社のReliant®シリーズの中からリファブ製品も選ぶこともできます。それによってコストを抑えつつ、新品同様の性能と品質保証が得られます。
Industry Challenges
絶縁膜エッチングは新材料の登場、プロセスインテグレーションの複雑化、微細化の進行などにより、いくつもの難しい技術課題を乗り越えなければ成りません。このような新しい材料の導入や、プロセスインテグレーションにより積層膜をエッチングする必要があります。しかも、多くの場合、特定の部分だけを削れるよう複数材料間の選択加工が必須になります。半導体メーカーはウェハあたりのトータルコストを削減するために、一つの工程で複数の膜を一括してエッチングすることを重要視しています。微細化が進むにつれ、メモリセルのキャパシタやコンタクトホールのアスペクト比が高くなっており、最適なエッチング断面を仕上げるのは簡単ではありません。量産環境の中で、バラツキの少なく高い加工精度が必要なので、尚更難しさが増します。ロジックデバイスでは層間配線の微細化は種々のLow-k材料を高い選択比でエッチングすることが求められています。しかも絶縁膜のk値が加工の影響で大きくなることはデバイス性能に影響するので避けなければなりません。
Key Customer Benefits
- 当社独自の多周波・小容積・閉じ込めプラズマ技術により、高いレベルの均一性、再現性、可変性を実現
- 同一装置内（in-situ）での多段エッチングと連続プラズマ技術が低欠陥率と高生産性を実現
- 低リスクでコスト効率の高いアップグレードで、製品の長寿命化を実現し、短期間での投資回収を可能にします
- ラムリサーチの Advanced Mixed Mode Pulsing（AMMP™）技術を活用した、超高選択比のプラズマALE（原子層エッチング）
Product Offerings
- Exelan® Flex®
- Exelan® Flex45™
- Flex® D Series
- Flex® E Series
- Flex® F Series
- Flex® G Series
Key Applications
- Low-k や超Low-k膜のデュアルダマシン加工
- セルフアラインコンタクト開口エッチング
- メモリのキャパシタセル
- マスク開口エッチング
- 3D NANDの高アスペクト比開口エッチング、トレンチ、コンタクトホール