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FLEX シリーズ製品
原子層エッチング反応性イオンエッチング(RIE)極低温エッチング
絶縁膜エッチングは誘電体を削って半導体デバイスの電気配線間を隔てるバリア層を形成する工程です。最先端のデバイスではこれらのパターンは極めて開口が狭くて細長い上に、脆弱な複合材料が使用されます。加工後の形状が設計寸法から原子数個分外れただけでもデバイスの電気特性を損ないかねないのです。
こうした厳しい加工を正確に仕上げるラムリサーチのFlex® シリーズは 、重要絶縁膜エッチ工程のために差別化された技術とアプリケーションを提供します。用途によっては当社のReliant®シリーズの中からリファブ製品も選ぶこともできます。それによってコストを抑えつつ、新品同様の性能と品質保証が得られます。
絶縁膜エッチングは新材料の登場、プロセスインテグレーションの複雑化、微細化の進行などにより、いくつもの難しい技術課題を乗り越えなければ成りません。このような新しい材料の導入や、プロセスインテグレーションにより積層膜をエッチングする必要があります。しかも、多くの場合、特定の部分だけを削れるよう複数材料間の選択加工が必須になります。半導体メーカーはウェハあたりのトータルコストを削減するために、一つの工程で複数の膜を一括してエッチングすることを重要視しています。微細化が進むにつれ、メモリセルのキャパシタやコンタクトホールのアスペクト比が高くなっており、最適なエッチング断面を仕上げるのは簡単ではありません。量産環境の中で、バラツキの少なく高い加工精度が必要なので、尚更難しさが増します。ロジックデバイスでは層間配線の微細化は種々のLow-k材料を高い選択比でエッチングすることが求められています。しかも絶縁膜のk値が加工の影響で大きくなることはデバイス性能に影響するので避けなければなりません。