AIとエッジコンピューティングを強化する競争の中で、半導体業界は、かつてない課題に直面しています。 微細なパターンすべてが所定の位置に正確に配置された、不可能に思えるほど微細な構造を持つ半導体を製造しなければなりません。
業界がこの技術革新を実現できるかどうかは、ますます微細化の進むノードで半導体を大量生産する能力にかかっています。
この課題はパターニングプロセス、つまり微細な回路パターンをシリコンウェハ上に転写する、最も重要な工程において、顕著に現れます。
先端パターニングへの革新的アプローチ
画期的なドライレジスト技術、Aether は、ドライプロセス技術によりレジストプロセスを根本から再構築し、微細回路パターンをウェハ上に描画する上での、いくつもの重大なトレードオフを打破します。
Aetherは、シングル露光パターニングの限界を、まったく新しい真空ベースのアプローチで拡張します。 次世代半導体に求められる複雑なパターンを形成するコストやプロセスの複雑性を削減します。
さらに、この技術で使用される金属有機化合物は、EUV（極端紫外線）リソグラフィー時に従来の有機系レジスト材料に比べ3〜5倍の光を吸収するため、性能を向上させながらコストを大幅に削減することが可能です。
特長とメリット
- 優れたフォトン吸収と高精度パターニング能力により、先端ノードでもシングルパターニングの維持を可能とします。
- 既存のダブルパターニング技術は、シングルパターニングの1.5～2倍のコストを要します。
- 工程数の削減とシングルプリントパターニングの忠実度向上により、Aether は生産フローを効率化し、歩留まりの向上に貢献します。
- パターニングの高精度化により、AIのデータ処理ニーズに対応した、より高密度かつ高速なメモリアレイの形成が可能となります。
- 薬液使用量の大幅な削減により、環境により優しいソリューションを実現します。
Lamのドライレジスト技術は、モダン・コンピューティングを構成する要素の構築方法を根本から見直すアプローチです。 Aetherは、Lamの最先端EUVパターニングソリューションと組み合わせることで、業界で最も低コストなパターニングを実現するだけでなく、究極的には物理学の限界を押し広げ、AI の未来を実現します。
参考資料
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Breakthrough EUV Dry Photoresist Technology from Lam Research Adopted by Leading Memory Manufacturer