エッチング

原子レベルの精度でパターンを加工

エッチング工程は、デポジション工程で形成した誘電体(絶縁膜)と金属(導電膜)を選択的に削り取って加工するプロセスです。このプロセスでは、加工対象となる材料が多くあるほか、その形状は微細化と複雑化を増す一方です。最も基本的な技法である反応性イオンエッチング(Reactive Ion Etching:RIE)はイオン(荷電粒子)をウェハ表面に叩き付けることで不要部分を削り取る技術です。加工形状が更に微細になると、原子層エッチング(ALE)が登場します。これは対象素材を原子数個分の厚さで少しずつ、繰り返し削って行くものです。メタルエッチングはトランジスタなどの電子素子の形を正確に加工するものですが、その一方で誘電膜エッチングは導体部分を保護する絶縁体を形成します。エッチングは、チップ間を接続するTSVやMEMSなどで使用される長い柱のような構造を加工するのにも利用されます。

ラムリサーチのプラズマ・エッチング装置は、深く狭い・短く広いなど、わずか数nmの加工形状を正確に仕上げる高性能、高生産性を提供しています。



エッチング

当社の製品

DSIE シリーズ製品

DRIE

このシリーズ製品は、クリティカル・非クリティカルを問わず、ディープシリコンエッチング用途に対し、優れた生産性の高いプロセス制御を提供します。

FLEX シリーズ製品

Atomic Layer Etch (ALE) Reactive Ion Etch

ラムリサーチの酸化膜エッチシステムは、先進のデバイスに求められる複雑な構造を備えた幅広いアプリケーションに配慮した機能を提供します。

KIYO シリーズ製品

Reactive Ion Etch

業界をリードするコンダクターエッチング製品は、クリティカルなデバイス機能に必要な高精度と高い生産性での制御を実現します。

RELIANTデポジション製品

DRIE Reactive Ion Etch Reliant Systems

一新および再生されたReliant製品は、酸化膜アプリケーションにおいて低所有コスト(低いランニングコスト)、高信頼性、実証済みのソリューションを提供します。

SENSE.I製品

Atomic Layer Etch (ALE) DRIE

私たちの最新エッチング装置のプラットフォームは、最高の生産性でプロセスパフォーマンスを提供するコンパクトで高密度のアーキテクチャで比類のないシステムインテリジェンスを実現します。

Syndion製品ファミリー

DRIE Reactive Ion Etch

ディープエッチング用途では、高アスペクト比の重要な形状に必要な卓越したウェーハ全体にわたる均一性制御を提供します。

VANTEX シリーズ製品

Reactive Ion Etch

誘電体エッチングプロセスは、半導体デバイスの製造の中で非導電物質を除去します。特に業界最先端のメモリデバイスは、 ホールやトレンチの深さなどの難しい構造をもつため、厳しい公差で製造される必要があります。ラムリサーチの最新の誘電体エッチングシステムは、比類のない性能を実現し、厳しい高アスペクト比が求められるデバイスに生産性をもたらします。Vantex™は、進化したメモリデバイス製造の要件に対応する高度なRFテクノロジー、均一性制御およびEquipment Intelligence®を提供します。

VERSYS METAL シリーズ製品

Reactive Ion Etch

これらのメタルエッチング製品は、電気配線およびメタルハードマスク用途向けに高い生産性を備えたプロセス制御を提供します。

高選択エッチング製品群

Selective Etch

画期的なポートフォリオにより、3D アーキテクチャ、先端ロジックおよびファウンドリ用途向けに、0.1nm スケールの精度と超高選択性で等方的材料除去を実現します。


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