高選択エッチング製品群

半導体の高密度化、高性能化、省エネルギー化のニーズは、高度なロジックチップやメモリーチップの開発を支える、新たな技術的転換点を生み出しています。FinFET デバイスが微細化の限界に達し始めたことで、大手半導体メーカーは、ゲート・オールアラウンド型（GAA）またはナノシート構造への移行を進めています。メモリでは、NAND フラッシュがすでに3次元構造への移行に成功しており、DRAM も間もなくこれに続くと予想されています。

これらの技術的転換点では、ウェハ表面から材料を選択的かつ等方的に、つまり全方向に均一に除去する 3 次元アプローチのチップ製造が必要とされます。そのために、半導体メーカーは、0.1nm レベルの精度が要求されるナノスケールで縦方向や横方向の加工を行うなど、これまで考えられなかった極めて複雑な製造技術を必要とし、エッチングプロセス中に他の重要な材料層を除去、改質、損傷しないようにしなければなりません。

ラムリサーチの画期的な高選択エッチング・ソリューションは、3D 先端ロジックチップおよびメモリチップ構造の開発・製造に必要な超高選択性と高精度エッチング能力を提供します。