Selective Etch Product Family - Lam Research
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Selective Etch Produktfamilie

Herausforderungen für die Industrie

Der große Bedarf an immer höher integrierten und energieeffizienteren Halbleitern mit hoher Leistungsfähigkeit führt zu neuen technologischen Wendepunkten, sodass die Entwicklung fortschrittlicher Logik- und Speicherchips unterstützt werden kann. Weil FinFET-Bauelemente allmählich an die Grenzen ihrer Skalierbarkeit stoßen, stellen führende Chiphersteller ihre Produktion auf Gate-all-around(GAA)- oder Nanosheet-Strukturen um. Was Speicherchips betrifft, so wurde der Schwerpunkt von NAND-Flashzellen bereits erfolgreich auf dreidimensionale Strukturen umgestellt, und DRAM (Dynamic Random Access Memory) dürfte in Kürze folgen.

Diese technologischen Wendepunkte machen einen dreidimensionalen Ansatz zur Chipherstellung erforderlich, bei dem Materialien sowohl selektiv als auch isotrop – oder einheitlich in alle Richtungen – von den Wafer-Oberflächen abgetragen werden. Um das zu erreichen, benötigen Chiphersteller neue und außerordentlich komplexe Fertigungsverfahren, mit denen bisher unvorstellbare Prozesse wie das vertikale und laterale Formen von Funktionsmerkmalen im Nanomaßstab möglich werden – Prozesse, die eine Präzision auf Ångström-Ebene erfordern, um den Abtrag, die Veränderung oder das Beschädigen anderer kritischer Materialschichten während des Ätzens zu verhindern.

Lams bahnbrechende Serie an selektiven Ätzlösungen bietet die ultrahohe Selektivität und die Präzisions-Ätzfähigkeiten, die für die Entwicklung und Herstellung fortschrittlicher 3D-Logik- und Speicherchipstrukturen benötigt werden.

 

Wichtige Kundenvorteile

  • Der isotrope Materialabtrag in Verbindung mit einer Präzision im Ångström-Bereich ermöglicht selbst bei extrem hohen Höhen/Breiten-Verhältnissen eine optimale Chipleistung.
  • Eine Prozesssteuerung im atomaren Maßstab verhindert den Verlust kritischer Materialien, unerwünschte Oberflächenmodifizierungen oder Beschädigungen, die zu einer Qualitätsminderung des Chips und zu Chipdefekten führen können.
  • Fortschrittliche Oberflächenbehandlungen zur Steuerung physikalischer und elektrischer Grenzflächeneigenschaften
  • Umfassende Auswahl von isotropen Ätztechnologien, neuartigen chemischen Merkmalen und Einstellbarkeit zur Unterstützung eines zukünftigen Skalierungsbedarfs.
  • Bahnbrechende Behandlung und Aufbereitung für Waferoberflächen zur Verbesserung der Gerätegeschwindigkeit und -leistung

Produktangebot

  • Argos®
  • Prevos™
  • Selis®

Hauptanwendungsbereiche

  • Dummy-Poly-Abtrag
  • SiGe-Abtrag (GAA)
  • Oxid-Recess
  • Silizium-Trimmen
  • Vorreinigung bei der Emitter-/Kollektor-Abscheidung
  • Entfernung von Low-k-Material
  • Dekontaminierung und Modifizierung von Oberflächen