고선택비 식각 제품군

산업의 과제

반도체 성능 및 효율성 향상을 위해 소자의 집적도를 높일 필요성이 증가함에 따라 첨단 로직 및 메모리 반도체 개발을 지원하기 위한 새로운 기술적 변곡점이 요구되고 있습니다. FinFET 디바이스가 스케일링의 한계에 도달하기 시작하면서 시장을 선도하는 반도체 제조업체는 GAA(Gate-All-Around) 또는 나노시트 구조로 전환하고 있습니다. 메모리에서 NAND flash는 이미 3D 구조로 성공적으로 전환되었으며, 곧 DRAM(Dynamic Random Access Memory)이 이를 뒤따를 것으로 예상됩니다.

이러한 기술적 변곡점은 반도체 제조에 대한 3D 구조로의 접근 방식을 필요로 하며 웨이퍼 표면에서 선택적이고 등방적으로 또는 모든 방향으로 균일하게 물질을 제거할 수 있어야 합니다. 이를 위해, 반도체 제조업체는 이전에는 상상할 수 없었던 공정을 수행하는 새롭고 매우 복잡한 제조 기술을 필요로 합니다. 예를 들어, 옹스트롬(Å) 수준의 정밀도를 요하는 나노 스케일이 특징인 수직 및 측면 조각 공정을 통해 식각 공정 중 다른 중요 재료 층의 제거, 변형 또는 손상을 방지해야 합니다.

램리서치의 혁신적인 고선택비 식각 솔루션 제품군은 첨단 3D 로직 및 메모리 반도체 개발과 제조를 위한 초고도 선택비 및 정밀 식각 역량을 제공합니다.

주요 고객 이점

• 고종횡비에서도 옹스트롬(Å) 수준의 정밀 식각 및 등방성 식각을 통해 최적의 반도체 성능 제공
• 반도체 성능 저하 및 결함을 유발할 수 있는 중요한 재료의 손실, 중요 막질 변형 또는 손상을 방지하는 원자 수준의 공정 제어
• 물리적, 전기적 계면 특성을 제어하는 최첨단 표면 처리
• 미래의 미세화 요구를 지원하기 위한 등방성 식각 기술, 새로운 화학 반응 및 조정 능력의 포괄적인 집합
• 획기적인 웨이퍼 표면 처리 기술과 오염 제거 기술을 통해 디바이스 속도와 성능 향상