选择性刻蚀产品系列

行业挑战

对密度日益增加的高性能节能半导体的需求正在推动新的技术拐点出现，以支持先进逻辑和存储芯片的开发。 随着 FinFET 器件开始达到其微缩极限，领先的芯片制造商正在向环栅（GAA）或纳米片结构过渡。 在存储器方面，NAND 闪存已经成功过渡到三维结构——动态随机存取存储器（DRAM）预计很快就会跟随这一趋势。

这些技术拐点需要采用一种三维方法来制造芯片，而这种方法需要选择性地和各向同性地（或者说在所有方向上一致地）从晶圆表面去除材料。 为了实现这一目标，芯片制造商需要新的非常复杂的制造技术来执行以前无法想象的工艺，例如需要埃米级精度的纳米级特征的纵向和横向雕刻，以避免在刻蚀过程中去除、改性或损坏其他关键材料层。

泛林集团突破性的一系列选择性刻蚀解决方案提供开发和制造 3D 先进逻辑和存储芯片结构所需的超高选择性和精密刻蚀能力。

主要客户利益

• 各向同性材料去除加上埃米级精度——即使在极高的深宽比下也能提供最佳的芯片性能
• 原子级工艺控制有助于防止关键材料的损失、不必要的表面改性或可能导致的芯片损伤和缺陷
• 先进的表面处理来控制物理和电界面特性
• 全面的各向同性刻蚀技术选项、新型化学物质和可调节性，以支持未来的微缩需求
• 突破性的晶圆表面处理和调整，提高了器件速度和性能