選擇性蝕刻産品系列

行业挑战

產業對於更精密、高性能和高能效半導體的需求正推動著新技術的突破，以支援先進邏輯和記憶體晶片的發展。 隨著鰭式場效電晶體（FinFET）元件面臨微縮極限，業界領先的晶片製造商開始朝環繞式閘極（GAA）或奈米層片（nanosheet）結構轉移。 在記憶體方面，NAND 快閃記憶體已成功地轉變為三維結構，預計動態隨機存取記憶體（DRAM）也會很快跟上產業變化。

這些技術的轉型使晶片製造必須採用三維結構，並能夠從晶圓表面選擇性和等向性地 – 亦即在所有方向上均勻地 – 去除材料。 為了實現此一目標，晶片製造商需要創新且複雜的製造技術，以實現像是奈米級特徵的垂直和橫向成形這類顛覆以往思考的製程。這需要埃米等級（angstrom-level）的精密度，才能避免在蝕刻過程中移除、修改或損壞其他的關鍵材料層。

Lam 極具突破性的選擇性蝕刻解决方案，擁有超高選擇性和精密度的蝕刻能力，可以滿足開發和製造 3D 先進邏輯和記憶體晶片結構的需求。

主要客户利益

• 等向性材料的去除再加上埃米等級的精密度 ─ 即使在極高的深寬比條件下 ─ 亦能實現最佳的晶片效能
• 原子級製程控制可有效防止關鍵材料的損失、不必要的表面改質或晶片產生降解和瑕疵的損害發生
• 先進的表面處理技術，可控制物理和電性的介面特性
• 選擇完備的等向性蝕刻技術，創新的化學方法和調整能力，以支援未來的微縮需求
• 開創性的晶圓表面處理和調節能力，提升元件的速度和效能