選擇性蝕刻産品系列 - Lam Research

選擇性蝕刻産品系列

選擇性蝕刻産品系列

Products

Selective Etch 選擇性蝕刻

互連, 先進記憶體, 圖案化, 電晶體

Lam 推出的選擇性蝕刻解决方案能夠從晶圓表面等向性地去除材料,不會改造或損壞週邊的材料。具備超高選擇性和埃米等級精密度的選擇性蝕刻解决方案,是Lam專為滿足晶片製造商開發先進 3D 邏輯晶片和記憶體結構而設計。

Industry Challenges

產業對於更精密、高性能和高能效半導體的需求正推動著新技術的突破,以支援先進邏輯和記憶體晶片的發展。 隨著鰭式場效電晶體(FinFET)元件面臨微縮極限,業界領先的晶片製造商開始朝環繞式閘極(GAA)或奈米層片(nanosheet)結構轉移。 在記憶體方面,NAND 快閃記憶體已成功地轉變為三維結構,預計動態隨機存取記憶體(DRAM)也會很快跟上產業變化。

這些技術的轉型使晶片製造必須採用三維結構,並能夠從晶圓表面選擇性和等向性地 – 亦即在所有方向上均勻地 – 去除材料。 為了實現此一目標,晶片製造商需要創新且複雜的製造技術,以實現像是奈米級特徵的垂直和橫向成形這類顛覆以往思考的製程。這需要埃米等級(angstrom-level)的精密度,才能避免在蝕刻過程中移除、修改或損壞其他的關鍵材料層。


Lam 極具突破性的選擇性蝕刻解决方案,擁有超高選擇性和精密度的蝕刻能力,可以滿足開發和製造 3D 先進邏輯和記憶體晶片結構的需求。


Key Customer Benefits

  • 等向性材料的去除再加上埃米等級的精密度 ─ 即使在極高的深寬比條件下 ─ 亦能實現最佳的晶片效能
  • 原子級製程控制可有效防止關鍵材料的損失、不必要的表面改質或晶片產生降解和瑕疵的損害發生
  • 先進的表面處理技術,可控制物理和電性的介面特性
  • 選擇完備的等向性蝕刻技術,創新的化學方法和調整能力,以支援未來的微縮需求
  • 開創性的晶圓表面處理和調節能力,提升元件的速度和效能

Product Offerings Pro

  • Argos®
  • Prevos™
  • Selis®

Key Applications

  • 移除多晶矽閘極
  • 去除矽鍺(環繞式閘極)
  • 氧化物蝕刻量
  • 矽閘極尺寸調整
  • 源極汲極沉積前表面預處理
  • 移除低 k 材料
  • 表面除汙和改質
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