Chipstrukturen mit
atomarer Präzision
Ätzprozesse helfen dabei, Chipstrukturen durch das selektive Entfernen von dielektrischen (isolierenden) und metallischen (leitenden) Materialen, die sich während der Abscheidung festgesetzt haben, zu entfernen. Diese Prozesse involvieren die Herstellung immer kleinerer, komplexerer, höherer und engerer Strukturen und die Verwendung unterschiedlichster Materialien. Die primär genutzte Technologie, Reactive Ion Etch (RIE), bombardiert die Waferoberfläche mit Ionen (geladenen Partikeln), um Material zu entfernen. Für die winzigsten Strukturen wird Atomic Layer Etching (ALE) verwendet, um pro Prozessschritt jeweils nur einige wenige Atomlagen des Materials zu entfernen. Während beim Metallätzen die kritischen elektrischen Komponenten wie Transistoren präzise geformt werden, werden beim dielektrischen Ätzen die isolierenden Strukturen geformt, die die leitenden Teile schützen. Ätzprozesse dienen auch dazu, die hohen, säulenartigen Strukturen zu formen, wie beispielsweise in TSVs, die Chips miteinander verbinden und in mikro-elektromechanischen Systemen (MEMS).
Lams Plasma Etch Systeme bieten die hohe Performanz und Produktivität, die erforderlich sind, um genaueste Strukturen herzustellen – egal ob hoch und eng, nieder und weit oder nur im Bereich weniger Nanometer.
Ätzen
Unsere Produkte
DSiE PRODUKTFAMILIE
Deep Reactive Ion Etch (DRIE)
Diese Produkte bieten eine hervorragende Prozesskontrolle bei hoher Produktivität für verschiedene kritische und nicht kritische Anwendungen des tiefen Ätzens von Silizium.
FLEX PRODUKTFAMILIE
Atomic Layer Etch (ALE) Reactive Ion Etch
Die dielektrischen Ätzsysteme von Lam bieten anwendungsorientierte Funktionen zum Erstellen einer Vielzahl anspruchsvoller Strukturen in modernen Geräten.
Kiyo PRODUKTFAMILIE
Reactive Ion Etch
Diese marktführenden Leiterätzungsprodukte bieten höchste Präzision und Kontrolle bei hoher Produktivität, die für kritische Gerätefunktionen erforderlich sind.
Reliant Etch Produkte
Deep Reactive Ion Etch (DRIE) DRIE Reactive Ion Etch Reliant Systems
Die überholten und neu gebauten Reliant-Produkte bieten zuverlässige, in der Produktion bewährte Lösungen zu niedrigen Betriebskosten für Leiter-, Dielektrikum- und Metallätzanwendungen.
Selective Etch Produktfamilie
Selective Etch Selektives Ätzen
Bahnbrechendes Portfolio ermöglicht den isotropen Materialabtrag mit Präzision im Ångström-Maßstab und ultrahohe Selektionsfähigkeiten für 3D-Architekturen und fortschrittliche Logik- und Foundryanwendungen.
SENSE.I PRODUKTFAMILIE
Atomic Layer Etch (ALE) Deep Reactive Ion Etch (DRIE) DRIE
Unsere neueste Ätzplattform bietet beispiellose Systemintelligenz in einer kompakten Architektur mit hoher Dichte, um Prozessleistung bei höchster Produktivität zu erzielen.
Syndion-Produktfamilie
DRIE Reactive Ion Etch
Für Tiefenätzanwendungen bietet diese Produktfamilie die außergewöhnliche Wafer-zu-Wafer-Gleichmäßigkeit, die für kritische Features mit hohem Querschnittsverhältnis unabdingbar ist.
VANTEX PRODUKT FAMILIE
Reactive Ion Etch
Vantex wurde speziell für die Sense.i Plattform konzipiert und verbindet maximale Ätztiefen und hohe Aspektverhältnisse mit technologischer Innovation und Equipment Intelligence.
VERSYS METAL PRODUKTFAMILIE
Reactive Ion Etch
Diese Metallätzprodukte bieten eine hervorragende Prozesskontrolle bei hoher Produktivität für elektrische Verbindungen und Metallhartmaskenanwendungen.