- Ätzprozesse mit höchsten Aspektraten, kleinsten kritischen Dimensionen und höchster Selektivität
- Maximale Produktivität durch höchste Ätzraten und optimierte Prozesssteuerung
- Höchste Wafer-to-Wafer-Gleichmäßigkeit und Prozesswiederholbarkeit durch modernste Equipment Intelligence
- Vantex™
- 3D_NAND, tiefe, hochaspektierte Kontaktlöcher, Gräben und Kontakte
- Kondensatorzellen
VANTEX PRODUKT FAMILIE
Products
Reaktive Ionenätzung (RIE)
Dielektrische Ätzprozesse entfernen nicht leitende Materialien während der Herstellung von Halbleiterbauelementen. Moderne und leistungsfähige Speicherbauteile zeichnen sich durch besonders herausfordernde Strukturen aus, wie beispielsweise extrem tiefe Kontaktlöcher oder Gräben, die nur äußerst geringe Fertigungstoleranzen erlauben.
Lam’s dielektrische Ätzsysteme bieten eine unerreichte Ätzleistung und Produktivität und unterstützen die Herstellung besonders komplexer, kleiner und enger Strukturen. Vantex™ bietet hoch entwickelte RF-Technologie, kontrollierte Gleichmäßigkeiten und Lam’s bewährte Equipment Intelligence® und unterstützt damit die Anforderungen modernster Fertigungsverfahren für Speicherchips.
Industry Challenges
Die Skalierung der Speicherkosten pro Bit stellt Halbleiterhersteller vor eine Reihe von Herausforderungen im Zusammenhang mit immer tieferen Strukturen, der gleichzeitigen Entfernung mehrerer Strukturen und der Implementierung komplexer neuer Verfahren. Die vertikale Skalierung erfordert das Ätzen immer tieferer und engerer Strukturen bei gleichbleibenden kritischen Dimensionen der Strukturen, um die laterale Bauteildichte zu erhalten. Die vertikale Ausrichtung der Ätzung erscheint zunehmend kritisch, da bereits kleinste Ionenwinkel-Abweichungen große Auswirkungen auf die Funktionalität der Bauteile und eine Verringerung der Fertigungsausbeuten zur Folge haben können. Die Kombination mehrerer Ätzschritte aus Gründen der Kostenreduktion setzt voraus, dass Strukturen mit unterschiedlichen kritischen Dimensionen und Formen gleichzeitig prozessiert werden können. Die Integeration neuester Fertigungsprozesse und der damit verbundene Abtrag multipler Materialschichten erfordert eine laufend verbesserte Steuerung und Kontrolle der Schichtselektivität.