VANTEX シリーズ製品
Products
リアクティブ・イオンエッチング（RIE）
誘電体エッチングプロセスは、半導体デバイスの製造の中で非導電物質を除去します。特に業界最先端のメモリデバイスは、 ホールやトレンチの深さなどの難しい構造をもつため、厳しい公差で製造される必要があります。
ラムリサーチの最新の誘電体エッチングシステムは、比類のない性能を実現し、厳しい高アスペクト比が求められるデバイスに生産性をもたらします。Vantex™は、進化したメモリデバイス製造の要件に対応する高度なRFテクノロジー、均一性制御およびEquipment Intelligence®を提供します。
Industry Challenges
ビットあたりのメモリコストの削減増減 においては、デバイス設計におけるアグレッシブな垂直スケーリングや、複数の形状機能を同時にエッチングし複雑な新しい統合スキームを実行するなどの課題に対処する必要があります。垂直スケーリングは、横方向のデバイス密度を維持できるよう同じCDレベルを維持しながら、新しいレベルの深さまでエッチングする必要があります。
イオン入射角のわずかな差によって形状機能が大きく変わり、歩留まりの低下につながる可能性があるため、エッチングの垂直指向性が重要になります。複数のエッチングを組み合わせて、コストを削減するには、異なるCDと形状で同時にこのパフォーマンスを実現させる必要があります。お客様の高度な統合スキームにより、複数の材料が露出する複雑さが増し、選択性制御を強化する必要があります。
Key Customer Benefits
- 厳しいCD制御と選択力で高アスペクト比でのエッチングを実現
- 高いエッチングレートと制御力による、生産性の向上
- 高度なEquipment Intelligenceテクノロジーにより、ウェハー上とウェハー間の性能を向上
Product Offerings
- Vantex™
Key Applications
- 3D NAND 高アスペクト比ホール、トレンチ、コンタクト
- キャパシタセル