Vantex产品系列
Products
反应离子刻蚀（RIE）
介质刻蚀工艺在半导体器件的制造过程中去除非导电材料。前沿存储设备的结构特别有挑战性，例如极深的孔和沟槽，这些结构必须以严格的公差制造。
泛林集团最新的介电刻蚀系统可以提供无与伦比的性能和生产效率，以构建最关键的高深宽比器件特性。Vantex™结合了先进的射频技术、均匀性控制和Equipment Intelligence®（设备智能），以满足先进存储设备制造的需求。
Industry Challenges
存储器的位成本降低需要客户解决多个挑战，包括器件设计中激进的垂直扩展、同时刻蚀多个特性和实施复杂的新集成方案。垂直扩展要求刻蚀到新的深度，同时保持相同的特性关键尺寸以维持横向的器件密度不变。刻蚀的垂直方向性变得至关重要，因为离子角度的小偏差也会导致特性的较大偏置，从而降低器件的良率。结合多重刻蚀来降低成本要求实现具有不同关键尺寸和形状的特性。客户先进的集成方案增加了多种材料暴露的复杂性，需要更高的选择性控制。
Key Customer Benefits
- 以严苛的CD控制和选择性实现最高的深宽比刻蚀
- 以最高的刻蚀速率和控制达成最高的生产效率
- 通过先进的Equipment Intelligence（设备智能）实现晶圆间性能的可重复性
Product Offerings
- Vantex™
Key Applications
- 3D NAND高深宽比通孔、沟槽和接点
- 电容器单元