VANTEX系列產品

VANTEX系列產品

Products

Reactive Ion Etch

Advanced Memory

在半導體元件的製造過程中,介電層蝕刻是用來移除非導電材料的。由於先進記憶體元件的結構特別具有挑戰性,像是極深的孔洞和溝槽,因此必須以嚴格的公差來製造。

Lam Research最新的介電層蝕刻系統可提供絕佳的效能和生產力,以創建最關鍵的高深寬比元件特徵。Vantex具備先進的射頻(RF)技術、均勻度控制和Equipment Intelligence®功能,可滿足先進記憶體製造的要求。


Industry Challenges


為了降低記憶體的單位位元成本,客戶需要克服多項挑戰,包括元件設計的積極垂直微縮、同步蝕刻多個特徵,以及實行複雜的新整合方式等。垂直微縮要求更深的蝕刻深度,並保持相同的特徵關鍵尺寸(CD),以維持同樣的橫向元件密度。因此,垂直方向的蝕刻變得至關重要,因為離子角度的微小偏差會造成特徵的嚴重位移,而使元件良率降低。若要結合多次蝕刻來降低成本,需要具有不同CD和形狀的特徵能同時達到此效能。此外,客戶的先進整合方式增加了多種材料的複雜性,需要更高的選擇性控制。

KEY CUSTOMER BENEFITS


  • 兼具嚴格CD控制和選擇性的最高深寬比蝕刻
  • 透過最高的蝕刻速率和控制實現最高的生產力
  • 先進的Equipment Intelligence技術可實現晶圓至晶圓(wafer-to-wafer)效能的再現性

Product Offerings

  • Vantex

KEY APPLICATIONS

  • 3D NAND高深寬比的孔洞、溝槽、接點
  • 電容單元
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