VANTEX系列產品
Products
反應離子蝕刻（RIE）
在半導體元件的製造過程中，介電層蝕刻是用來移除非導電材料的。由於先進記憶體元件的結構特別具有挑戰性，像是極深的孔洞和溝槽，因此必須以嚴格的公差來製造。
Lam Research最新的介電層蝕刻系統可提供絕佳的效能和生產力，以創建最關鍵的高深寬比元件特徵。Vantex™具備先進的射頻（RF）技術、均勻度控制和Equipment Intelligence®功能，可滿足先進記憶體製造的要求。
Industry Challenges
為了降低記憶體的單位位元成本，客戶需要克服多項挑戰，包括元件設計的積極垂直微縮、同步蝕刻多個特徵，以及實行複雜的新整合方式等。垂直微縮要求更深的蝕刻深度，並保持相同的特徵關鍵尺寸（CD），以維持同樣的橫向元件密度。因此，垂直方向的蝕刻變得至關重要，因為離子角度的微小偏差會造成特徵的嚴重位移，而使元件良率降低。若要結合多次蝕刻來降低成本，需要具有不同CD和形狀的特徵能同時達到此效能。此外，客戶的先進整合方式增加了多種材料的複雜性，需要更高的選擇性控制。
Key Customer Benefits
- 兼具嚴格CD控制和選擇性的最高深寬比蝕刻
- 透過最高的蝕刻速率和控制實現最高的生產力
- 先進的Equipment Intelligence技術可實現晶圓至晶圓（wafer-to-wafer）效能的再現性
Product Offerings
- Vantex™
Key Applications
- 3D NAND高深寬比的孔洞、溝槽、接點
- 電容單元