パターニング Archives - Lam Research

Solution: パターニング

CORONUSシリーズ製品

Plasma Bevel Etch and Deposition

半導体製造工程全体の歩留まりを向上させるためにCoronus システムはウェハのベベルエッジに着目しました。半導体製造工程を通じてウェハエッジ部には残渣や残膜 やラフネスが蓄積します。これが剥がれ落ちて他の場所に付着すると欠陥となり、デバイス不良を引き起こす原因なります。Coronus エッチはベベルの残渣を除去し、Coronus デポジションはベベルをダメージから保護する製品です。

Coventor Product Family

プラズマモデリング 半導体プロセスモデリング

Our semiconductor process modeling software (SEMulator3D) and plasma modeling software (OverViz) perform predictive modeling of etch, deposition, plasma & other processes, to identify problems prior to fabrication.

DV-PRIME & DA VINCI シリーズ

ウェットクリーニング

これらの製品は製造工程全体にわたる複数のウェハクリーニングステップにおいて求められる高い生産性と柔軟性を実現するプロセスを提供します。

EOS シリーズ製品

ウェットクリーニング

ラムリサーチの先進的なウェットクリーン製品は、厳しい要求条件の用途に対して高スループットで不良率が低いウェハ生産を可能にします。

FLEX シリーズ製品

Atomic Layer Etch (ALE) リアクティブ・イオンエッチング(RIE)

ラムリサーチの酸化膜エッチシステムは、先進のデバイスに求められる複雑な構造を備えた幅広いアプリケーションに配慮した機能を提供します。

GAMMAシリーズ製品

Dry Strip

これらの製品は、各種のクリティカルなフォトレジスト ストリップ アプリケーションに対応した高いプロセス柔軟性を提供します。

KIYO シリーズ製品

リアクティブ・イオンエッチング(RIE)

業界をリードするコンダクターエッチング製品は、クリティカルなデバイス機能に必要な高精度と高い生産性での制御を実現します。

METRYX シリーズ製品

Mass Metrology

ラムリサーチの質量計測システムは、高度なプロセス監視と3次元デバイス構造の制御により、サブミリグラムレベルの計測能力を提供します。

RELIANT クリーニング製品

RELIANT システム ウェットクリーニング/ストリップ/エッチング

ラムリサーチの RELIANTクリーニング製品は、スペシャルティ・テクノロジーのロードマップを実現し、ファブの生産寿命を延ばします。

RELIANT成膜製品

RELIANT システム パルスレーザー堆積(PLD) プラズマ化学気相成長(PECVD) 化学気相成長(CVD) 高密度プラズマ化学気相成長(HDP-CVD)

RELIANT 成膜製品は、スペシャルティ・テクノロジーのロードマップを実現し、ファブの生産寿命を延ばします。

SEMulator3D

半導体プロセスモデリング

半導体プロセスモデリング・プラットフォーム SEMulator3D® は広範囲にわたる技術開発環境を提供します。

SENSE.I製品

リアクティブ・イオンエッチング(RIE)

私たちの最新エッチング装置のプラットフォームは、最高の生産性でプロセスパフォーマンスを提供するコンパクトで高密度のアーキテクチャで比類のないシステムインテリジェンスを実現します。

STRIKER シリーズ製品

Atomic Layer Deposition (ALD)

高度なALD技術を活用することにより、これらの製品はナノスケールの機能を備えた高度なデバイスのクリティカルプロセスに対して優れた制御性能を実現する酸化膜を提供します。

VECTOR シリーズ製品

プラズマ化学気相成長(PECVD)

ラムリサーチ社のPECVD製品ファミリーは、幅広いデバイスアプリケーションに対応した高い生産性の精密な酸化膜成膜を提供します。

VERSYS METAL シリーズ製品

リアクティブ・イオンエッチング(RIE)

これらのメタルエッチング製品は、電気配線およびメタルハードマスク用途向けに高い生産性を備えたプロセス制御を提供します。

高選択エッチング製品群

Selective Etch 選択エッチング

画期的なポートフォリオにより、3D アーキテクチャ、先端ロジックおよびファウンドリ用途向けに、0.1nm スケールの精度と超高選択性で等方的材料除去を実現します。

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