- 優れた膜品質と高い面内均一性及びウェハ面内均一性を実現
- 業界最高レベルの生産性と低い保有コスト
- 成膜とは独立した独自技術のウェハ加熱機能により、高い膜品質を短いプロセス時間で実現
- マルチステーション連続成膜(Multi-Station Sequential Deposition : MSSD)機能により様々なプロセスに対応できる柔軟設計
- プロセス個別のニーズに応えるよう、最適化されたプラットフォーム:小さい設置面積、高スループット、プリ/ポスト膜トリートメントにも対応できる柔軟なモジュール設計
- VECTOR®
- VECTOR® TEOS
- VECTOR® AHM®
- VECTOR® MD
- VECTOR® Strata®
- ハードマスク膜
- 反射防止層(Anti-reflective layers:ARL)
- パッシベーション層
- ディフュージョンバリア層
- 3D NANDの積層膜
- ダブルパターニングや多重パターニングのコア層
- メタル層間膜
VECTOR シリーズ製品
Products
プラズマ化学気相成長(PECVD)
誘電体成膜プロセスは半導体デバイスの中でも最も製造困難な絶縁層の成膜に使用されます。 このような絶縁膜は最新のトランジスタや3D構造に使われているものです。用途によっては入り組んだ形状の周りをキッチリ覆うコンフォーマルな膜を成膜する必要があります。 別の用途では完璧に平坦で無欠陥の絶縁膜が求められます。わずかな欠陥が以降の工程で何倍にも膨れ上がってしまうためです。
ラムリサーチのVECTOR® プラズマCVD (PECVD)製品シリーズは高性能と柔軟性を兼ね備えた設計になっており、多種多様なデバイス製造でこうしたニーズに応えています。用途によっては当社のReliant®シリーズのリファブ製品も利用できます。コストを抑えつつ、新品同様の性能と品質保証が得られます。
Industry Challenges
先端半導体のパターン微細化が進むにつれ、極めて高品質な誘電体成膜 – 即ち平坦で、ボイドフリー、膜厚、デポジションカバレッジ、機械的ストレス、電気特性を高い精度で実現すること– が必要な重要工程が増えてきます。こうした局面ではプラズマCVDが使用されることが多くなります。例えば3D NANDではプラズマCVDが同一装置内(in-situ)で2類の異なる膜を交互に積層します。しかも各層の膜ストレスや欠陥を管理しつつ完璧に平坦な多層構造にしなければならないのです。もうひとつ重要な応用がハードマスク膜です。これは従来のマスクでは対応出来ないような精密パターニングで使用される犠牲層です。ここでは何回も繰り返されるプロセスに耐える非常に平坦で均一な膜が必要になります。しかも、高アスペクト比のパターン形成の過程でも崩壊しないように充分な機械強度を持った膜であることが必要になります。こうした、多様で困難な要求に応えるためには高生産性と低コストを維持しながらも、幅広いプロセスアプリケーションに対応出来る柔軟性を持った成膜装置が望まれるのです。