GAMMAシリーズ製品
Products
ストリップ工程は不要になったフォトレジストや工程から出た残りカスなどを取り除くものです。ここで使うようなダウンストリームプラズマを用いたプロセスは、後工程に備えてウェハの表面状態や特性を整えるのにも使用します。機能上必要な部分の形状（CD）の損傷や材料ロスは最終的なデバイス性能に重大な影響を及ぼすので、ストリップの工程でそのようなダメージを極小に抑えることが極めて重要です。
量産実績も充分なラムリサーチのGAMMA® シリーズはダウンストリームプラズマを多様に設定できるのでウェハプロセスの様々な重要工程で使用できる柔軟性を備えています。
Industry Challenges
半導体産業が極浅ジャンクション、多重パターニング、超low-k誘電体、3D構造などの新技術に移行するに伴い、フォトレジストのストリップ工程は複雑なデバイス構造に効率良く対応しなければならなくなっています。個々のトランジスタを見ますと、ストリップ工程によって少しでも膜の状態が変化すると、ジャンクション抵抗、ジャンクション深さ、インプラントのドーパントの活性状態が影響を受け、デバイス性能も低下します。配線層ではlow-k膜に望ましくない変化があると、やはりデバイス性能に悪影響があります。また、フォトレジスト除去工程は先端メモリで使用される材料に悪影響を与える可能性もあります。先端技術によるプロセスにはこうした懸念事項がつきまとうため、旧来とは異なるストリップ技術が開発されています。解決すべき課題は：酸化やシリコンロスを最小に抑え、欠陥がない残渣除去を高いスループットと低い保有コスト（COO）で実現することなどです。
Key Customer Benefits
- 温度・RF電力・ガスの化学組成を個別に設定可能なマルチステーション連続処理（Multi-Station Sequential Processing：MSSP）機能により、同一装置上で複数の工程を行う事が出来るなど、最高水準の柔軟性と生産性を実現
- プラズマソースの改良と高速ウェハ加熱の組み合わせにより、バルクレジストの除去とイオン注入後のストリップの両方において高スループットで完全な残渣除去処理を実現
- 一つの装置で広範な用途や化学組成に対応でき、極低欠陥率の結果を提供
Product Offerings
- GAMMA® xPR
- GAMMA® GxT®
Key Applications
- 高エネルギーインプラント後のストリップ（High-dose implant strip :HDIS）
- バルクレジストのストリップ
- ディスカム処理