Industry Challenges
隨著半導體產業移轉至採用超淺接面、多重曝光(multiple patterning)、超低k值介電層以及3D結構等技術，光阻去除製程需要能有效地處理更複雜的元件結構。在電晶體層級，光阻去除製程對薄膜造成的微小改變有可能會影響接面電阻、接面深度以及摻雜劑活化(dopant activation)等特性，進而影響元件效能。而對互連結構來說，低k值介電層特性的非預期改變亦會影響元件效能。光阻去除製程還會對先進記憶體中使用的材料產生負面影響。這些考量推動了適用於先進技術節點的新式光阻去除製程的發展。而新的光阻去除製程面對的挑戰包括，必須能夠去除殘留物、最小化氧化與矽晶損失，以提供無損壞(damage-free)的結果，同時還要兼顧高生產力與低擁有成本。
Key Customer Benefits
- 透過可獨立控制溫度、RF功率以及化學品的多站序列式處理(MSSP)架構，能在相同平台上以最大的彈性與生產力進行多重製程步驟
- 透過增強的離子源技術(source technology)並結合更快速晶圓加熱，能以高生產量為主塊體光阻去除(bulk strip)以及離子植入製程的光阻去除(implant strip)提供無殘留光阻的結果
- 利用可執行多種應用與化學品的單一系統機台，達成超低的缺陷率效能
Product Offerings
- GAMMA® xPR
- GAMMA® GxT®
Key Applications
- 高劑量離子植入光阻去除 (HDIS)
- 主塊體光阻去除
- 殘渣清除(Descum)