GAMMA 제품군
Products
Dry Strip
제거(strip) 공정에서는 포토레지스트와 다른 공정에서 남은 다양한 잔여물을 제거합니다. 추후 공정에 필요한 특성을 갖게 하기 위하여 웨이퍼 표면 상태를 조정하는 다운스트림 플라즈마 공정도 사용됩니다. 제거 공정을 통해 피처 형상(CD)의 영향을 최소화하고, 소자 재료 손실이 거의 없도록 해야 합니다. 이에 따라 최종 소자 성능이 좌우됩니다.
생산으로 검증된 램리서치의 GAMMA® 제품군 시스템은 광범위한 다운스트림 플라즈마를 사용하여 다양한 핵심 웨이퍼 공정 부문에 필요한 공정 유연성을 지원합니다.
Industry Challenges
반도체 산업이 매우 얕은 접합, 다중 패터닝, 초저유전(ultra low k) 절연체, 3D 아키텍처로 이동함에 따라 포토레지스트 제거 공정에서는 좀 더 복잡한 소자 구조를 효과적으로 처리해야 합니다. 트랜지스터 수준에서는 제거 공정으로 필름에 약간이라도 변화가 생기면 접합부 저항성과 깊이, 도펀트 활성화에 영향을 미쳐 소자 성능에도 영향을 줄 수 있습니다. 배선물질 구조물의 경우 저유전 절연체의 특성에 생기는 불필요한 변화도 성능에 영향을 줄 수 있습니다. 포토레지스트 제거 역시 고급 메모리 부문에 사용되는 재료에 부정적인 영향을 줄 수 있습니다. 이러한 우려 때문에 고급 기술 노드에 필요한 새로운 제거 공정이 개발되고 있습니다. 잔여물을 제거하고, 산화 및 실리콘 손실을 최소화하고, 무손상 결과를 구현함과 동시에 높은 처리량과 낮은 관리비용을 구현하는 것이 과제입니다.
Key Customer Benefits
- 온도, RF 전력 및 화학약품을 개별적으로 제어할 수 있는 다층순차증착방식(MSSP)의 아키텍처로 가능한 다중 공정 단계를 통해 동일 플랫폼에서 최대의 유연성과 생산성을 구현
- 소스 기술의 향상과 더 빠른 웨이퍼 가열이 결합되어 벌크 제거와 주입 제거 부문 모두 처리량이 높고 잔여물이 없는 결과를 얻음
- 단일 시스템에서 광범위한 용도와 화학약품을 사용하여 결함도가 매우 낮은 성능을 구현
Product Offerings
- GAMMA® xPR
- GAMMA® GxT®
Key Applications
- 고선량 주입 시스템(HDIS)
- 벌크 제거
- 감광제 제거