GAMMA Produktfamilie

GAMMA Produktfamilie

Products

Strippingverfahren entfernen Fotolack und weitere Rückstände, die bei anderen Prozessen zurückbleiben. Downstream-Plasmavorgänge werden ebenfalls verwendet, um der Wafer-Oberfläche bestimmte Eigenschaften zu verleihen, die für weitere Verfahren notwendig sind. Entfernungsprozesse sind wichtig für die endgültige Leistung der Bauelemente und müssen eine minimale Beeinträchtigung der Strukturformen (CDs) sicherstellen und ebenso einen minimalen bis gar keinen Materialverlust.

Lams fertigungsbewährte Systeme aus der GAMMA®-Produktfamilie mit einer großen Bandbreite aus Downstream-Plasmen bietet die Fertigungsflexibilität, die für mehrere wichtige Wafer-Bearbeitungsvorgänge nötig sind.


Industry Challenges

Da die Halbleiterbranche immer mehr zu ultraflachen Kontaktstellen, Mehrfachstrukturierungen, Ultra-Low-k-Dielektrika und 3D-Architektur übergeht, müssen Prozesse zur Entfernung von Fotolack bei komplexen Bestandteilstrukturen besonders effektiv sein. Auf Transistorebene beeinträchtigen kleine Veränderungen des Lacks als Ergebnis des Strippingprozesses den Widerstand und die Tiefe der Kontaktstellen sowie die Dotierstoffaktivierung und damit auch die Leistung des Bauteils. Bei durchkontaktierten Strukturen können ungewollte Veränderungen der Eigenschaften von Low-k-Dielektrika die Leistung ebenfalls beeinträchtigen. Die Entfernung von Fotolack kann ebenfalls negative Auswirkungen auf Materialien haben, die in fortschrittlichen Speicheranwendungen verwendet werden. Diese Überlegungen treiben die Entwicklung neuer Strippingprozesse für modernste Chiptechnologien. Zu den Anforderungen gehören das Entfernen von Rückständen, das Minimieren von Oxidation und Siliziumverlust und das Erbringen von Ergebnissen ohne Schäden am Bauteil, die zugleich hohen Durchsatz und niedrige Betriebskosten ermöglichen.

Key Customer Benefits

  • Mehrere Verfahrensschritte können mit maximaler Flexibilität und Produktivität auf derselben Plattform durchgeführt werden, ermöglicht durch den „Multi-Station Sequential Processing“-Aufbau (MSSP), der eine unabhängige Steuerung von Temperatur, RF-Leistung und Chemie ermöglicht
  • Rückstandlose Ergebnisse mit hohem Durchsatz für Bulk und Implant Strip Anwendungen aufgrund verbesserter Quelltechnologie in Verbindung mit schnellerer Wafer-Erwärmung
  • Ultraniedrige Defektivität eines einzigen Systems, das eine Vielzahl von Prozessanwendungen und -chemikalien erlaubt

Product Offerings

  • GAMMA® xPR
  • GAMMA® GxT®

Key Applications

  • Hochdosierter Implant Strip (HDIS)
  • Bulk Strip
  • Descumming Prozess
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