RELIANTクリーン製品
Products
Chemical Vapor Deposition (CVD) High-Density Plasma Chemical Vapor Deposition (HDP-CVD) Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) Reliant Systems
Advanced Memory, Analog & Mixed Signal, Discrete & Power Devices, Interconnect, Optoelectronics & Photonics, Packaging, Patterning, Sensors & Transducers, Transistor
チップ製造の過程で繰り返し行われる成膜工程ではウェハ上に種々の絶縁材や導体の層を形成し、これが半導体デバイスを構成する素子や配線の基となります。マイクロマシン等の微小な電気機械システム（micro-electromechanical systems：MEMS）やパワーデバイスのような新興市場にはこれまでとは異なった材料やパターン形状が多数含まれており、従来とは違った製造技術が求められるようになりました。
ラムリサーチの Reliant® 成膜製品群は既に量産現場で高い生産性が実証済みで、 これらの工程で必要とされる高生産性でかつ低保有コスト（CoO）という信頼の成膜ソリューションを提供します。
Industry Challenges
近年、半導体産業はMEMS、パワーチップ、RFフィルタ、CMOSイメージセンサー等の新分野にも進出しています。 これら新興デバイスは電子機器同士のネットワーク接続、より強力なイメージング能力など、時代の要請に応えるべく登場してきたものです。
これらは、デバイス毎に多様な製造ニーズがあり、成膜技術においても多種多様な材料への対応が必要な上、個々の要求仕様にも応えなければなりません。一方で、これらのデバイスは半導体ロードマップの最先端にある技術ノードに比べるとパターン寸法が大きく、形状もさほど複雑ではないので、最先端の成膜性能は必ずしも必要ではありません。この新興市場では高い成膜均一性、膜の内部ストレスの制御、欠陥率の低減などの性能向上を実現できる装置であっても、高スループット、低CoOと言った生産の低コスト化を図れる機能が望まれるのです。
Key Customer Benefits
- マルチステーション連続成膜（Multi-Station Sequential Deposition：MSSD）機能により、多様なプロセスに対応可能な柔軟性を実現
- ウェハ面内に渡って高い均一性を実現
- 膜特性の再現性が高く、膜の内部ストレスも安定
- 高スループットで高効率なウェハ搬送による高生産性
- Production-proven, low CoO solutions from 150 mm to 300 mm
Product Offerings
- Concept Two® ALTUS® (200 mm 仕様)
- Concept Two® SEQUEL® (200 mm, 150 mm仕様)
- Concept Two® SPEED® (200 mm仕様)
- SPEED® Max (300 mm仕様)
- VECTOR® (300 mm, 200 mm仕様)
Key Applications
- CVDタングステン埋め込み
- 高密度プラズマCVD（HDP-CVD）酸化膜ギャップフィル
- プラズマCVD（PECVD） シラン酸化膜、窒化膜、酸窒化膜
- プラズマCVD（PECVD）TEOS酸化膜
- ドープ酸化膜（ボロン、リン）