RELIANT沉積產品
Products
Chemical Vapor Deposition (CVD) High-Density Plasma Chemical Vapor Deposition (HDP-CVD) Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) Reliant Systems
Advanced Memory, Analog & Mixed Signal, Discrete & Power Devices, Interconnect, Optoelectronics & Photonics, Packaging, Patterning, Sensors & Transducers, Transistor
在整個晶片製造過程中，會利用沉積製程在晶圓上鋪上各種的導電和絕緣材料，來形成半導體元件的組成及佈線。對於非傳統的晶片市場，例如微機電系統(MEMS)和功率元件，許多的特徵形狀和不同材料都涉及額外的製造需求。
Lam Research的Reliant®沉積系列產品包含通過生產驗證的沉積解決方案，能以高生產力提供製程靈活性和可靠效能，以及這些應用所需的低擁有成本(CoO)。
Industry Challenges
近年來，半導體產業已經擴展到MEMS、功率晶片、射頻(RF)濾波器、和CMOS影像感測器(CIS)等新領域，以實現更大的連接性、更強大的影像處理、以及各種其他市場所需的功能。由於這些新興元件的製造有著各種不同的要求，沉積技術必須能夠滿足多種的材料以及效能需求。此外，相較於先進技術節點的晶片設計，這些晶片的元件結構較大、較不複雜，所以通常並不需要最新的沉積功能。因此，這些新的市場領域面臨的主要挑戰在於實現低成本的生產，包括在高效能設備上達到高生產量和低擁有成本(CoO)，並改善沉積均勻度、薄膜應力控制和缺陷率。
Key Customer Benefits
- 透過多站序列式沉積製程(MSSD)，能以靈活性滿足各種製程需求
- 提高整片晶圓表面的薄膜均勻度
- 具備優異應力穩定性的可再現(Repeatable)薄膜特性
- 透過高生產量和高效的晶圓處理設計，可實現高生產力
- 通過生產驗證的低擁有成本(CoO)解決方案，從150 mm到300 mm晶圓均適用
Product Offerings
- Concept Two® ALTUS® (200 mm)
- Concept Two® SEQUEL® (200 mm, 150 mm)
- Concept Two® SPEED® (200 mm)
- SPEED® Max (300 mm)
- VECTOR® (300 mm, 200 mm)
Key Applications
- 化學氣相沉積(CVD)鎢
- 高密度電漿(HDP)-CVD間隙填充氧化物
- 電漿輔助CVD(PECVD)矽烷氧化物、氮化物和氮氧化物
- PECVD TEOS氧化物
- 摻雜氧化物(硼、磷)